发明授权
- 专利标题: 金溅射靶及其制造方法
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申请号: CN201880078486.7申请日: 2018-12-04
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公开(公告)号: CN111448335B公开(公告)日: 2023-01-03
- 发明人: 加藤哲也 , 照井贵志 , 高桥昌宏
- 申请人: 田中贵金属工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 田中贵金属工业株式会社
- 当前专利权人: 田中贵金属工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 盛曼; 金龙河
- 优先权: 2017-234720 20171206 JP
- 国际申请: PCT/JP2018/044584 2018.12.04
- 国际公布: WO2019/111900 JA 2019.06.13
- 进入国家日期: 2020-06-04
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C22F1/14 ; C22F1/00
摘要:
本发明提供能够提高高纯度的Au膜的膜厚分布的均匀性的金溅射靶。本发明的金溅射靶具有99.999%以上的金纯度。这样的金溅射靶中,维氏硬度的平均值为20以上且小于40,平均结晶粒径为15μm以上且200μm以下。在被溅射的表面,金的{110}面优先取向。
公开/授权文献
- CN111448335A 金溅射靶及其制造方法 公开/授权日:2020-07-24
IPC分类: