发明授权
- 专利标题： 一种高温臭氧氧化退火装置
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申请号： CN202010419231.1申请日： 2020-05-18
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公开(公告)号： CN111463154B公开(公告)日： 2023-02-14
- 发明人: 孙家宝 , 程志渊 , 孙一军 , 孙颖 , 刘艳华 , 王妹芳 , 刘志 , 谢石建 , 陈长鸿
- 申请人： 浙江大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 代理机构： 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 贾玉霞
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67
摘要：
本发明公开一种高温臭氧氧化退火装置，该装置包括装置上壳体、装置下壳体、装置氧化退火腔室、支撑和隔热装置、加热圈五部分。本发明提出的高温臭氧氧化退火装置，可应用于半导体集成电路芯片制作工艺，填补了该类型设备的空白，极大地推动臭氧氧化退火技术在高校、科研院所及产业界集成电路芯片研制及制造工艺中的推广应用，加速集成电路芯片的研发进展。
公开/授权文献
- CN111463154A 一种高温臭氧氧化退火装置 公开/授权日：2020-07-28
IPC分类:
