公开(公告)号：CN112071780B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202010927821.5

申请日：2020-09-07

申请人： 浙江大学

发明人： 孙家宝 ,  程志渊 ,  孙一军 ,  孙颖 ,  刘艳华 ,  王妹芳 ,  刘志 ,  谢石建 ,  陈长鸿

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明公开一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,该装置包括基座、楔块以及单轴宽间距直筋压板、单轴窄间距直筋压板、双轴大直径圆筋压板、双轴小直径圆筋压板六个部分，基座内叠加单轴宽间距直筋压板、半导体基片、单轴窄间距直筋压板、楔块，构成单轴张/压应力施加装置；基座内叠加双轴大直径圆筋压板、半导体基片、双轴小直径圆筋压板、楔块，构成双轴张/压应力施加装置。本发明的装置既可以用于高温氧化环境，又可避免金属对器件的污染。

公开(公告)号：CN114664648A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210254286.0

申请日：2022-03-15

申请人： 浙江大学

发明人： 陈长鸿 ,  孙一军 ,  孙颖 ,  王妹芳 ,  孙家宝 ,  刘艳华 ,  刘志 ,  谢石建

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明公开了一种硅刻蚀方法。在刻蚀机中，利用RF电源生成钝化气等离子体并在以二氧化硅作掩膜的硅片表面附着钝化层；调节RF电源生成刻蚀气等离子体对硅片沿垂直方向进行刻蚀；通入清洁气体，清除硅片表面的残余生成物；循环上述步骤，直至达到刻蚀深度，则刻蚀结束。本发明首次实现C4F6在深硅刻蚀上的应用，并通过创新的三步循环刻蚀法，克服传统深硅刻蚀工艺中出现的侧壁钝化膜剥离，扇贝纹等问题；在步骤中使用新型电子气体，不仅可提高刻蚀效率，同时益于环保；通过设置清洁操作，能大大改善刻蚀陡直度及刻蚀底部形貌。

公开(公告)号：CN111463154B

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202010419231.1

申请日：2020-05-18

申请人： 浙江大学

发明人： 孙家宝 ,  程志渊 ,  孙一军 ,  孙颖 ,  刘艳华 ,  王妹芳 ,  刘志 ,  谢石建 ,  陈长鸿

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明公开一种高温臭氧氧化退火装置，该装置包括装置上壳体、装置下壳体、装置氧化退火腔室、支撑和隔热装置、加热圈五部分。本发明提出的高温臭氧氧化退火装置，可应用于半导体集成电路芯片制作工艺，填补了该类型设备的空白，极大地推动臭氧氧化退火技术在高校、科研院所及产业界集成电路芯片研制及制造工艺中的推广应用，加速集成电路芯片的研发进展。

公开(公告)号：CN114664653A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210254276.7

申请日：2022-03-15

申请人： 浙江大学

发明人： 陈长鸿 ,  孙一军 ,  孙颖 ,  王妹芳 ,  孙家宝 ,  刘艳华 ,  刘志 ,  谢石建

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种氮化硅刻蚀方法。利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化硅膜表面沿垂直方向的残留物；通入刻蚀气体，并调节工艺参数进行氮化硅膜表面的刻蚀。本发明首次实现C4F6在氮化硅刻蚀中的应用，并通过RF功率、ICP功率、气体种类、气体配比和刻蚀压力等工艺参数优化，克服传统硬掩模刻蚀工艺中刻蚀速率低，下层材料过刻等刻蚀难题，能有效降低Si刻蚀速率同时提高Si3N4刻蚀速率。

公开(公告)号：CN111463154A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010419231.1

申请日：2020-05-18

申请人： 浙江大学

发明人： 孙家宝 ,  程志渊 ,  孙一军 ,  孙颖 ,  刘艳华 ,  王妹芳 ,  刘志 ,  谢石建 ,  陈长鸿

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明公开一种高温臭氧氧化退火装置，该装置包括装置上壳体、装置下壳体、装置氧化退火腔室、支撑和隔热装置、加热圈五部分。本发明提出的高温臭氧氧化退火装置，可应用于半导体集成电路芯片制作工艺，填补了该类型设备的空白，极大地推动臭氧氧化退火技术在高校、科研院所及产业界集成电路芯片研制及制造工艺中的推广应用，加速集成电路芯片的研发进展。

公开(公告)号：CN116536650B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310511933.6

申请日：2023-05-05

申请人： 浙江大学

发明人： 孙一军 ,  王妹芳 ,  陈长鸿 ,  谢石建 ,  刘艳华 ,  孙颖 ,  孙家宝 ,  刘志

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

摘要： 本申请涉及用于薄膜生长优化的薄膜生长界面优化方法，该方案包括以下步骤：S00、将衬底材料传至双电极等离子设备的腔室内，并控制在设定温度范围内，抽真空；S10、抽真空时，通入惰性气体；S20、往腔室通入H2和Ar并打开双电极等离子设备的远端射频电源；S30、开启双电极等离子设备底部的电级射频电源；S40、循环S20～S30步骤多次；S50、通过惰性气体载入前驱体源；S60、通过惰性气体吹扫腔室；S70、往腔室通入O2，并打开双电极等离子设备的远端射频电源；S80、通过惰性气体吹扫腔室；S90、循环S50～S80步骤直至薄膜达到目标厚度。可大幅减小表面缺陷，为后续原子层薄膜生长提供了良好界面基础。

公开(公告)号：CN112071780A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010927821.5

申请日：2020-09-07

申请人： 浙江大学

发明人： 孙家宝 ,  程志渊 ,  孙一军 ,  孙颖 ,  刘艳华 ,  王妹芳 ,  刘志 ,  谢石建 ,  陈长鸿

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明公开一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,该装置包括基座、楔块以及单轴宽间距直筋压板、单轴窄间距直筋压板、双轴大直径圆筋压板、双轴小直径圆筋压板六个部分，基座内叠加单轴宽间距直筋压板、半导体基片、单轴窄间距直筋压板、楔块，构成单轴张/压应力施加装置；基座内叠加双轴大直径圆筋压板、半导体基片、双轴小直径圆筋压板、楔块，构成双轴张/压应力施加装置。本发明的装置既可以用于高温氧化环境，又可避免金属对器件的污染。

公开(公告)号：CN109814329A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811535540.4

申请日：2018-12-14

申请人： 浙江大学

发明人： 龙虎 ,  郭清 ,  盛况 ,  王妹芳

IPC分类号： G03F1/30 ,  H01L21/027 ,  H01L21/04

摘要： 本发明公开了一种渐变光刻版图及其半导体表面制造方法。渐变光刻版图采用黑白版图，其构成为完全不透光区域的阵列和完全透光区域的阵列，完全不透光区域和完全透光区域交替交错排列布置于版图表面，且具有比例渐变特征和完全交错特征；在原始半导体上通过光刻和刻蚀对表面进行加工完成的，半导体上涂覆一层光刻胶，接着采用渐变光刻版图进行常规光刻工艺形成有图形的掩膜，通过干法刻蚀在半导体表面刻蚀出微坑。本发明利用特殊设计构建的渐变光刻版图，实现了半导体表面渐变微坑阵列及基于该微坑阵列而形成的长距离缓斜坡，工艺步骤均是半导体加工技术，可实现低成本、高产率的半导体表面长距离缓斜坡的制造。

公开(公告)号：CN108831924A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810409635.5

申请日：2018-05-02

申请人： 浙江大学

发明人： 王策 ,  郭清 ,  盛况 ,  王妹芳

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种适用于集成电路的平面型功率场效应晶体管，包括源极(1)、栅极(2)、漏极(3)、氧化层(4)、N+源区(5)、P+接触区(6)、P阱(7)、N-栅下漂移区(8)、N外延层(9)、N+漏区(10)、N-漏极下漂移区(11)和P衬底(12).本发明提出的碳化硅平面型功率场效应晶体管，通过对漂移区靠近栅极部分的掺杂浓度和厚度调节和在衬底靠近漏区部分进行低浓度N型掺杂，使器件击穿时电场分布非常均匀，没有特别陡峭的电场尖峰,使器件击穿电压得以提高。在漂移区长度为5μm的条件下，击穿电压达到1146V。本发明提出的碳化硅平面型功率场效应晶体管可作为功率集成电路中的开关器件使用。

公开(公告)号：CN115466932B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202211280686.5

申请日：2022-10-19

申请人： 浙江大学

发明人： 刘志 ,  孙家宝 ,  孙一军 ,  陈长鸿 ,  谢石建 ,  孙颖 ,  王妹芳 ,  刘艳华

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明公开一种磁控溅射靶材快换结构和方法。包括靶枪、靶材、卡环、波形簧片、屏蔽罩和异形簧片，靶枪的背板外壳内设置靶材，靶材端面应均匀压紧贴在靶枪内端面，以便靶材冷却，靶材内端面为水冷盘；屏蔽罩套在靶枪的背板外壳的端口内，屏蔽罩靠近靶枪的端部和靶材之间设有卡环和波形簧片，屏蔽罩端部经波形簧片和卡环压接到靶材上；在屏蔽罩和靶枪的背板外壳的端口之外周围设有异形簧片，异形簧片固定于靶枪上，异形簧片向屏蔽罩延伸并越过屏蔽罩后设置有凸耳，凸耳径向朝向屏蔽罩中心延伸，屏蔽罩远离靶枪的端部顶接到凸耳上。本发明提出的靶材快换结构，可应用于磁控溅射设备靶材固定及类似结构需要紧固的位置，改进了设备使用过程中的弊端。