一种方法，包括：在限定用于薄膜晶体管装置的第一层级导体的第一导体图案上形成有机聚合物绝缘体；在有机聚合物绝缘体上形成第一导体层；在第一导体层上形成第二导体层；通过包括在选定区域中使第二导体层暴露于液体蚀刻剂的技术，对第二导体层进行图案化，以形成限定用于薄膜晶体管装置的第二层级导体的第二导体图案，其中：第一导体层至少位于选定区域中；第一导体层和有机聚合物绝缘体包括表面材料，表面材料对液体蚀刻剂表现出实质上为零的蚀刻速率；第一导体层对液体蚀刻剂的渗透性低于有机聚合物绝缘体，和/或对液体蚀刻剂的抗损性高于有机聚合物绝缘体；以及之后对第一导体层进行图案化。借此改良用于生产薄膜晶体管装置的导体蚀刻过程。