半导体装置具备：纵型霍尔元件（110），设置在半导体衬底的第1区域（R1），具有依次并排配置在第1直线（A1－A1）上的第1至第3电极（112～114）；以及具有发热源的电路（210），设置在半导体衬底的与第1区域（R1）不同的第2区域（R2），当纵型霍尔元件（110）动作时具有发热源的电路（210）中成为最高温度的区域（210hr）的中心点（210h）位于与成为流过第1电极（111）与第3电极（114）之间的霍尔元件驱动电流的路径的电流路径（CP1）正交且通过纵型霍尔元件（110）的中心的第2直线（A2－A2）上。