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公开(公告)号：CN107192968B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710153099.2
申请日：2017-03-15
申请人： 艾普凌科有限公司
摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，所述半导体装置具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及设在所述半导体衬底上的具有磁会聚功能的磁性体，在所述半导体衬底上的所述磁性体的纵截面外形形状中，包括在该外周部的至少一部分具有曲线形状的部分、和与所述半导体衬底大致平行的部分，在所述磁性体内部埋入有由非磁性物质构成的构造体的至少一部分。
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公开(公告)号：CN110673062A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910594097.6
申请日：2019-07-03
申请人： 艾普凌科有限公司
摘要： 本发明涉及半导体装置。是一种半导体装置，具有：第1导电型的半导体基板（10）；设置在半导体基板（10）上的纵向霍尔元件（100）；以及经由绝缘膜（30）设置在纵向霍尔元件（100）的正上方的、励磁导体（200），其中，纵向霍尔元件（100）具备：设置在半导体基板（10）上的、第2导电型的半导体层（101）；以及在半导体层（101）的表面在一条直线上设置的、由高浓度的第2导电型的杂质区域构成的多个电极（111）~（115），励磁导体（200）的宽度WC与电极（111）~（115）的宽度WH之比WC/WH为0.3≤WC/WH≤1.0。
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公开(公告)号：CN105914293B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201610092670.X
申请日：2016-02-19
申请人： 艾普凌科有限公司
摘要： 提供以位置偏差较小地能够在形成霍尔元件、电路的衬底上配置高磁导率且顽磁力小的磁会聚板且抑制了操作工序的增加的磁传感器及其制造方法。采用一种磁传感器及其制造方法，其特征在于，在硅衬底上形成霍尔元件、电路的工序中，形成由以与磁会聚板相同的形状及大小凹陷的图案构成的磁会聚板保持部，向所述磁会聚板保持部插入以与形成霍尔元件、电路的硅衬底不同的工序制作的磁会聚板。
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公开(公告)号：CN107192966B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201710153356.2
申请日：2017-03-15
申请人： 艾普凌科有限公司
摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及设在所述半导体衬底上的具有磁会聚功能的磁性体，在所述半导体衬底上的所述磁性体的纵截面外形形状中，作为在该外周部的至少一部分具有大致1/4圆形状的部分和与它相连的部分，具有与所述半导体衬底大致平行的部分。
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公开(公告)号：CN111509119A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010078531.8
申请日：2020-02-03
申请人： 艾普凌科有限公司
摘要： 半导体装置具备：纵型霍尔元件（110），设置在半导体衬底的第1区域（R1），具有依次并排配置在第1直线（A1－A1）上的第1至第3电极（112～114）；以及具有发热源的电路（210），设置在半导体衬底的与第1区域（R1）不同的第2区域（R2），当纵型霍尔元件（110）动作时具有发热源的电路（210）中成为最高温度的区域（210hr）的中心点（210h）位于与成为流过第1电极（111）与第3电极（114）之间的霍尔元件驱动电流的路径的电流路径（CP1）正交且通过纵型霍尔元件（110）的中心的第2直线（A2－A2）上。
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公开(公告)号：CN111180576A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911088735.3
申请日：2019-11-08
申请人： 艾普凌科有限公司
发明人： 飞冈孝明
摘要： 半导体装置具有第1导电型的半导体衬底和设置在半导体衬底上的纵型霍尔元件，纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；第2导电型的杂质扩散层，设置在半导体层的上部且与半导体层相比为高浓度；由第2导电型的杂质区域构成的多个电极，设置在杂质扩散层的表面，并以在一条直线上排列的方式配置，所述第2导电型的杂质区域与杂质扩散层相比为高浓度；多个第1导电型的电极分离扩散层，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离；以及由第2导电型的杂质区域构成的埋入层，设置在半导体衬底与半导体层之间，第2导电型的杂质区域与半导体层相比为高浓度且与杂质扩散层相比为低浓度。
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公开(公告)号：CN110277487A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910184094.5
申请日：2019-03-12
申请人： 艾普凌科有限公司
摘要： 本发明涉及半导体装置以及其调整方法。半导体装置具备：第一纵向霍尔元件，被设置于半导体基板的第一区域，具有在第一直线上隔开规定的间隔配置的第一多个电极；第二纵向霍尔元件，被设置于半导体基板的与第一区域不同的第二区域，具有在与第一直线平行的第二直线上隔开规定的间隔配置的、与第一多个电极相同数量的第二多个电极；第一驱动电源，对第一纵向霍尔元件进行驱动；以及第二驱动电源，在第一驱动电源之外设置，对第二纵向霍尔元件进行驱动。
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公开(公告)号：CN108539010A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810078230.8
申请日：2018-01-26
申请人： 艾普凌科有限公司
发明人： 飞冈孝明
CPC分类号： H01L43/065 , G01R33/077 , H01L27/22 , H01L43/04
摘要： 本发明提供提高利用沿与衬底平行的方向流动的电流的灵敏度的纵型霍尔元件。具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；多个电极，在半导体层的表面在直线上设置，由浓度比半导体层的浓度高的第2导电型的杂质区域构成；以及多个第1导电型的电极分离扩散层，在半导体层的表面分别设置在多个电极的各电极间，分别分离多个电极，多个电极包含作为驱动电流供给电极发挥功能的电极、和与驱动电流供给电极交替配置的作为霍尔电压输出电极发挥功能的电极，霍尔电压输出电极具有第1深度，驱动电流供给电极具有比第1深度及电极分离扩散层的深度深的第2深度。
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