发明公开
- 专利标题： 一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法
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申请号： CN202010312258.0申请日： 2020-04-20
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公开(公告)号： CN111524992A公开(公告)日： 2020-08-11
- 发明人: 方亮 , 肖祖峰 , 黄嘉敬 , 何键华 , 胡丹
- 申请人： 中山德华芯片技术有限公司
- 申请人地址： 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
- 专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
- 当前专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
- 代理机构： 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理商 冯炳辉
- 主分类号： H01L31/078
- IPC分类号： H01L31/078 ; H01L31/0747 ; H01L31/18 ; H01L31/20
摘要：
本发明公开了一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法，包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池，所述底电池和中间电池通过第一隧穿结连接，所述中间电池和顶电池通过第二隧穿结连接；所述底电池为HIT太阳能电池，即HIT子电池；所述中电池为GaAs太阳能电池，所述顶电池为GaInP太阳能电池，所述顶电池和中电池形成为GaInP/GaAs双结子电池。本发明的GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池具有电转换效率高、稳定性好、成本低的优点。
IPC分类:
