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公开(公告)号：CN112599623A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110236718.0
申请日：2021-03-03
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/107 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种柔性二极管芯片及其制作方法。一种柔性二极管芯片，包括依次叠加的铜衬底；N面电极；N型InGaAs欧姆接触层；N型InP层；N型InGaAs层；I型InGaAsP层；I型InP层；I型InGaAs欧姆接触环，I型InGaAs欧姆接触环形成的内部区域内设置有SiNx增透膜；P面电极，P面电极为环状，直径与所述I型InGaAs欧姆接触环的直径相同。本发明以铜替代刚性InP作为衬底，由于铜柔韧性较好、厚度可调，因此可使二极管芯片具备柔性，扩宽其应用场景。
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公开(公告)号：CN111524992A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010312258.0
申请日：2020-04-20
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
IPC分类号： H01L31/078 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法，包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池，所述底电池和中间电池通过第一隧穿结连接，所述中间电池和顶电池通过第二隧穿结连接；所述底电池为HIT太阳能电池，即HIT子电池；所述中电池为GaAs太阳能电池，所述顶电池为GaInP太阳能电池，所述顶电池和中电池形成为GaInP/GaAs双结子电池。本发明的GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池具有电转换效率高、稳定性好、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN113948593B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111118149.6
申请日：2021-09-23
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/054 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池背金结构及其应用。一种太阳能电池背金结构，包括依次形成的：AuGeNi合金层、Ag层、Cr层和Cu层；所述AuGeNi合金层的厚为5nm‑500nm；所述Ag层的厚为200nm‑2000nm；所述Cr层的厚为10nm‑2000nm。本发明的太阳能电池背金结构，由于各层材质、厚度的搭配，能够降低包含太阳能电池背金结构的柔性太阳能电池的翘曲程度，同时增加柔性太阳能电池对光的利用率。
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公开(公告)号：CN112701167B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011552032.4
申请日：2020-12-24
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/041 , H01L31/048 , C08G73/10
摘要： 本发明提供了一种聚酰亚胺基膜材料、制备方法及应用。一种聚酰亚胺基膜材料，包括依次设置的，聚酰亚胺层、粘附层、抗辐照层和增透层。本发明提供的聚酰亚胺基膜材料，具有抗辐照性能、增透性能、柔性性能，可应用于柔性空间太阳能领域。相较于以超薄玻璃盖板，以聚酰亚胺基膜材料作为盖板，提升了太阳能电池的弯曲性能，且不易破损。
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公开(公告)号：CN112713201A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011604325.2
申请日：2020-12-29
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/055 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法，柔性砷化镓太阳能电池芯片包括：外延层；依次层叠设置于所述外延层下表面的第一电极、铜衬底及碳纳米管薄膜；覆盖于所述外延层上表面的减反射膜与接触层；第二电极，设置于所述接触层上表面。通过在铜衬底表面制备了一层碳纳米管薄膜，利用碳纳米管薄膜的材料特性，既保证了铜衬底的导电性，同时提升了铜的抗氧化能力，并对柔性芯片翘曲度有一定改善。
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公开(公告)号：CN111725700A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010528219.4
申请日：2020-06-11
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种高性能的柔性垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法，包括下电极、下电极接触层、下布拉格反射镜层、有源区、氧化限制层、上布拉格反射镜层、上电极接触层、上电极和反射绝缘层；其中，所述下电极、下电极接触层、下布拉格反射镜层、有源区、氧化限制层、上布拉格反射镜层、上电极接触层、上电极按照从下往上的顺序依次叠加，构成一个激光器芯片主体，所述反射绝缘层制作在该激光器芯片主体的侧面，在起绝缘作用的同时兼具反射作用，以减少光的侧向发散。本发明在提高激光器芯片性能的同时，减小了激光器芯片的厚度进而提升芯片的封装密度，同时芯片具有一定的柔性，能满足一些特定应用环境的形变要求。
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公开(公告)号：CN111524984A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010313420.0
申请日：2020-04-20
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法，包括：提供一柔性衬底，按照层状叠加结构在柔性衬底表面依次设有第二键合层、第一键合层，第一电极；按照层状叠加结构依次设于第一电极表面的GaInAs底电池、缓冲层、第二隧道结、GaAs中电池、第一隧道结、GaInP顶电池、接触层；设于接触层表面的第二电极，设于第二电极表面的减反膜；其中，所述第一电极和第二电极为同向水平电极。本发明避免了柔性砷化镓电池因其柔性状态，自动机台吸取片后电池片自然翘曲，背面可焊接面积变小，无法固晶牢固的同时保证对位准确。
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公开(公告)号：CN112951941B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110110360.7
申请日：2021-01-27
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/14 , H01L27/144
摘要： 本发明公开了一种柔性平面探测器PIN芯片及其制作方法与应用，该芯片由下至上依次包括N面电极、外延片和P面电极；所述外延片依次为n型InGaAs欧姆接触层、n型InP层、InGaAs层、p型InP层和p型InGaAs欧姆接触环；所述P型InGaAs欧姆接触环设有扩散孔区域。本发明采用柔性芯片工艺，得到柔性平面探测器PIN芯片，应用场景不局限于常规封装形式，可应用于各类曲面、柔性器件等复杂环境使用。
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公开(公告)号：CN111725331B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010528196.7
申请日：2020-06-11
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种正负电极同侧的多结砷化镓太阳电池芯片及其制备方法，在P型Ge衬底上用MOCVD方法形成外延多结电池结构后，采用化学腐蚀等方法形成沟槽，并对沟槽进行绝缘填充，进而用电子束蒸镀上金属电极，将电池受光面的负电极引到电池背面，使正、负电极同处于电池的背面。采用本发明制备的太阳电池芯片，可以免于在电池受光面进行电极焊接，降低了在受光面进行焊接的电池损伤及污染风险，提高封装良率；另外，可方便电池直接焊接在带有串并联电路设计的基板上，可降低在电池受光面进行焊接时，与电极焊接在一起的互联片易与电池侧壁接触而短路的风险，提高电池的可靠性。
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公开(公告)号：CN113020796B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110583936.1
申请日：2021-05-27
申请人： 中山德华芯片技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种柔性太阳电池的串焊方法，包括真空吸附平台水平放置；第一料带用于传输太阳电池；第二料带用于传输导电胶膜；光学定位模块设置在真空吸附平台的上方，用于识别位于真空吸附平台上太阳电池的定位点；吸嘴装置能够吸取太阳电池和导电胶膜，能够在真空吸附平台与第一料带之间以及真空吸附平台与第二料带之间移动；点胶管设置在真空吸附平台的上方，能够对吸附在真空吸附平台上的太阳电池点胶；下压探头设置在真空吸附平台的上方，下压探头能沿真空吸附平台表面的垂直方向移动，以将太阳电池压紧；本发明的柔性太阳电池的串焊方法，能够实现自动化生产，焊接牢固且一致性高，生产质量可控，效率高。
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