本发明公开了Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管及其制备方法，该二极管包括包括p‑GaN衬底、PtNPs@ZnO:Ga复合微米线、垫片、石英玻璃，垫片与p‑GaN衬底并排摆放，PtNPs@ZnO:Ga复合微米线贴在p‑GaN衬底和垫片上，位于垫片上的一端贴有金属颗粒电极，p‑GaN衬底镀有合金电极，石英玻璃压在PtNPs@ZnO:Ga复合微米线上；该二极管的制备方法包括以下步骤：(S1)在制备Pt@ZnO:Ga金属修饰半导体的复合结构；(S2)制备PtNPs@ZnO:Ga复合微米线；(S3)制备PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑GaN异质结构；(S4)在p‑GaN衬底上制备合金电极，在PtNPs@ZnO:Ga复合微米线一端制备金属颗粒电极；(S5)最后在整个结构上按压一片石英玻璃，即得到Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管。该二极管紫外发光效率高，且为微米级光电器件，便于使用和制备，同时能够灵活调节发光波长。