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公开(公告)号：CN111525011A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010059157.7
申请日：2020-01-19
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管及其制备方法，该二极管包括包括p‑GaN衬底、PtNPs@ZnO:Ga复合微米线、垫片、石英玻璃，垫片与p‑GaN衬底并排摆放，PtNPs@ZnO:Ga复合微米线贴在p‑GaN衬底和垫片上，位于垫片上的一端贴有金属颗粒电极，p‑GaN衬底镀有合金电极，石英玻璃压在PtNPs@ZnO:Ga复合微米线上；该二极管的制备方法包括以下步骤：(S1)在制备Pt@ZnO:Ga金属修饰半导体的复合结构；(S2)制备PtNPs@ZnO:Ga复合微米线；(S3)制备PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑GaN异质结构；(S4)在p‑GaN衬底上制备合金电极，在PtNPs@ZnO:Ga复合微米线一端制备金属颗粒电极；(S5)最后在整个结构上按压一片石英玻璃，即得到Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管。该二极管紫外发光效率高，且为微米级光电器件，便于使用和制备，同时能够灵活调节发光波长。
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公开(公告)号：CN111525011B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010059157.7
申请日：2020-01-19
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管及其制备方法，该二极管包括包括p‑GaN衬底、PtNPs@ZnO:Ga复合微米线、垫片、石英玻璃，垫片与p‑GaN衬底并排摆放，PtNPs@ZnO:Ga复合微米线贴在p‑GaN衬底和垫片上，位于垫片上的一端贴有金属颗粒电极，p‑GaN衬底镀有合金电极，石英玻璃压在PtNPs@ZnO:Ga复合微米线上；该二极管的制备方法包括以下步骤：(S1)在制备Pt@ZnO:Ga金属修饰半导体的复合结构；(S2)制备PtNPs@ZnO:Ga复合微米线；(S3)制备PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑GaN异质结构；(S4)在p‑GaN衬底上制备合金电极，在PtNPs@ZnO:Ga复合微米线一端制备金属颗粒电极；(S5)最后在整个结构上按压一片石英玻璃，即得到Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管。该二极管紫外发光效率高，且为微米级光电器件，便于使用和制备，同时能够灵活调节发光波长。
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公开(公告)号：CN115084296A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210560525.5
申请日：2022-05-23
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0296 , H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种复合型自驱动氧化锌同质结基紫外探测器，生长p‑ZnO:Sb微米线并在其上表面蒸镀Ag薄膜，并以n‑ZnO薄膜为衬底，在衬底上依次蒸镀MgO空穴阻挡层和Au薄膜电极，然后放置上表面蒸镀有Ag薄膜的p‑ZnO:Sb微米线，最后覆盖上有Au薄膜电极的ITO导电玻璃；本发明采用CVD法生长的p‑ZnO:Sb微米线与n‑ZnO薄膜，结合MgO空穴阻挡层和Ag薄膜构筑ZnO基同质结自驱动紫外光电探测器。该新型结构的紫外光电探测器通过MgO空穴阻挡层调控能带，降低器件中暗电流，引进Ag颗粒膜表面等离激元效应增大光电流，以此提高器件的探测效率和响应速率。
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公开(公告)号：CN111384218B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010059164.7
申请日：2020-01-19
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种ZnO/InGaN异质结发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括p‑InGaN衬底、ZnO:Ga微米线，p‑InGaN衬底上制备有合金薄膜电极，ZnO:Ga微米线紧贴在p‑InGaN衬底上，且不接触合金薄膜电极，ZnO:Ga微米线与p‑InGaN衬底构成n‑ZnO:Ga/p‑InGaN异质结构，ZnO:Ga微米线远离合金薄膜电极的一端附着有Ag薄膜电极；该发光二极管的制备方法包括以下步骤：(S1)在p‑InGaN衬底上沉积合金薄膜电极；(S2)在n‑ZnO:Ga微米线一端的侧面上沉积Ag薄膜电极；(S3)将镀有Ag薄膜电极的单根n‑ZnO:Ga微米线的面向上紧贴在p‑InGaN衬底上，确保n‑ZnO:Ga微米线不和合金薄膜电极接触，即得到ZnO/InGaN异质结发光二极管。该发光二极管能够发出高效率高强度的黄绿光。
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公开(公告)号：CN111613968A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010360716.8
申请日：2020-04-30
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，包括如下步骤：步骤1：在ZnO:Ga微米线上溅射Ag准粒子薄膜，并利用焦耳热效应将ZnO:Ga微米线上的Ag准粒子薄膜转变成大尺寸的AgNPs，形成大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构；步骤2：利用激光激发出大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构的EHP激光。本发明可以有效降低单根微米线光泵浦激射的阈值、实现激光输出的增强；并且随着激发功率的增加，激光峰位产生了显著的红移，并伴随着激射峰模间距展宽。基于大尺寸AgNPs包裹单根ZnO:Ga微米线实现了飞秒激光激发下的EHP激射现象。为后续在AgNPs混合四极子共振增强宽禁带半导体光电器件提供了技术支持与实验依据。
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公开(公告)号：CN111613706A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010361148.3
申请日：2020-04-30
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了金银合金纳米棒诱导硅基红光发射增强异质结二极管及其制备方法，此红光发射二极管由4个部分组成：(a)蒸镀在p-Si基底上的Ni/Au电极；(b)p-Si基底；(c)覆盖在n-ZnO:Ga微米线上的导电玻璃(ITO)；(d)旋涂金银合金纳米棒(AuAgNRs)的n-ZnO:Ga微米线。本发明采用载流子浓度较高的Ga掺杂ZnO微米线，在其表面旋涂AuAgNRs，以p-Si为基底，构筑复合结构异质结(AuAgNRs@n-ZnO:Ga/p-Si)发光二极管。与n-ZnO:Ga裸线异质结(n-ZnO:Ga/p-Si)发光二极管相比，在正向偏压下，实现了显著的红光发射增强，促进了硅基半导体在发光二极管领域的应用。
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公开(公告)号：CN111613705A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010361146.4
申请日：2020-04-30
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种新型低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管及其制备方法，此绿光发射二极管由6个部分组成：(a)蒸镀在p-InGaN衬底上的Ni/Au电极；(b)p-InGaN衬底；(c)蓝宝石衬底；(d)金属In电极；(e)n-ZnO:Ga微米线；(f)石英衬底。本发明采用载流子浓度高，导电性能优异的Ga掺杂n-ZnO微米线，将单根n-ZnO:Ga微米线与p-InGaN(禁带宽度为2.30eV)衬底相结合构筑异质结发光二极管。此发光二极管展现出了良好的整流特性，在此二极管两端施加偏压时，出现了高强、稳定的绿光发射，促进了绿光二极管在生产生活中的应用。
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公开(公告)号：CN117393635A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311338914.4
申请日：2023-10-17
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0296 , H01L31/028 , H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法，该发明所述PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器包括p‑SiC衬底、PET、PtNPs@ZnO:Ga微米线、金属Ag薄膜电极、金属Ti/Au合金电极、石墨烯电极；所述制备方法通过单根n‑ZnO:Ga微米线和p‑SiC衬底构筑有效的p‑n型结构，并采用石墨烯电极作为顶部透明电极，提高入射透过率，同时石墨烯电极和n‑ZnO:Ga微米线形成的肖特基势垒能极大地促进光生电子的传输、收集和捕获。相较于现有技术，本发明通过构筑PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结构，在自驱动条件(0V偏压)下，实现对335nm紫外光的高响应度、高比探测率和高外量子效率。
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公开(公告)号：CN111613706B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010361148.3
申请日：2020-04-30
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了金银合金纳米棒诱导硅基红光发射增强异质结二极管及其制备方法，此红光发射二极管由4个部分组成：(a)蒸镀在p‑Si基底上的Ni/Au电极；(b)p‑Si基底；(c)覆盖在n‑ZnO:Ga微米线上的导电玻璃(ITO)；(d)旋涂金银合金纳米棒(AuAgNRs)的n‑ZnO:Ga微米线。本发明采用载流子浓度较高的Ga掺杂ZnO微米线，在其表面旋涂AuAgNRs，以p‑Si为基底，构筑复合结构异质结(AuAgNRs@n‑ZnO:Ga/p‑Si)发光二极管。与n‑ZnO:Ga裸线异质结(n‑ZnO:Ga/p‑Si)发光二极管相比，在正向偏压下，实现了显著的红光发射增强，促进了硅基半导体在发光二极管领域的应用。
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公开(公告)号：CN117393635B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311338914.4
申请日：2023-10-17
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0296 , H01L31/028 , H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法，该发明所述PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器包括p‑SiC衬底、PET、PtNPs@ZnO:Ga微米线、金属Ag薄膜电极、金属Ti/Au合金电极、石墨烯电极；所述制备方法通过单根n‑ZnO:Ga微米线和p‑SiC衬底构筑有效的p‑n型结构，并采用石墨烯电极作为顶部透明电极，提高入射透过率，同时石墨烯电极和n‑ZnO:Ga微米线形成的肖特基势垒能极大地促进光生电子的传输、收集和捕获。相较于现有技术，本发明通过构筑PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结构，在自驱动条件(0V偏压)下，实现对335nm紫外光的高响应度、高比探测率和高外量子效率。
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