发明授权
- 专利标题: 一种碳化硅器件的封装结构
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申请号: CN202010384365.4申请日: 2020-05-07
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公开(公告)号: CN111540718B公开(公告)日: 2022-02-08
- 发明人: 王亮 , 吴军民 , 张喆 , 唐新灵 , 张朋 , 李现兵 , 周扬
- 申请人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 于妙卓
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L23/473 ; H01L23/498 ; H01L21/60
摘要:
本发明公开了一种碳化硅器件的封装结构,包括:驱动基板;碳化硅芯片,其烧结连接于驱动基板的正面,碳化硅芯片的栅极烧结引出有栅极弹性金属探针,源极烧结引出有源极金属柱;DBC基板组件,具有与栅极弹性金属探针位置对应的第一覆铜层和与源极金属柱位置对应的第二覆铜层;弹性组件,位于DBC基板组件背向驱动基板的一侧,在封装过程中,其弹性力驱使DBC基板组件靠近驱动基板以使第一覆铜层与栅极弹性金属探针、及第二覆铜层与源极金属柱压接相连。这种碳化硅器件的弹性压接封装结构,通过烧结引出的栅极弹性金属探针和DBC基板组件的第一覆铜层实现低电感互联,降低了封装寄生电感,提高了碳化硅器件封装结构的可靠性。
公开/授权文献
- CN111540718A 一种碳化硅器件的封装结构 公开/授权日:2020-08-14
IPC分类: