- 专利标题: 一种钴酸镍气敏材料、钴酸镍气敏传感器及其制备方法
-
申请号: CN202010261769.4申请日: 2020-04-04
-
公开(公告)号: CN111573744A公开(公告)日: 2020-08-25
- 发明人: 程鹏飞 , 王莹麟 , 党凡 , 许录平 , 王海 , 张华
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学
- 代理机构: 西安长和专利代理有限公司
- 代理商 肖志娟
- 主分类号: C01G53/00
- IPC分类号: C01G53/00 ; G01N27/12
摘要:
本发明属于半导体氧化物气体传感器制备技术领域,公开了一种钴酸镍气敏材料、钴酸镍气敏传感器及其制备方法。此传感器的制备方法包括:以硝酸钴、硝酸镍、二甲基咪唑为前驱物,以乙醇与水的混合溶液为溶剂,通过一步水热法成功合成了具有分等级花状钴酸镍气敏材料;将制备好的气敏材料均匀地涂覆在带有两个金电极,四条铂引线的陶瓷管外表面,并按照旁热式器件工艺焊接,组装,完成分等级花状钴酸镍气体传感器的制备。最后对所制备的气体传感器进行了性能测试,测试结果表明利用本发明方法制备的分等级花状钴酸镍气体传感器对正丁醇气体具有优异的传感器特性,可长期实现在低温环境下对正丁醇的高效检测。
公开/授权文献
- CN111573744B 一种钴酸镍气敏材料、钴酸镍气敏传感器及其制备方法 公开/授权日:2023-02-03
IPC分类: