本发明属于RI标记化合物制造领域，具体涉及一种用于制造RI标记化合物的制造方法及制造装置；本发明提供的制造方法包括气体填充步骤、气体密封步骤、放射线照射步骤、RI标记化合物合成步骤、质分离步骤；本发明提供的制造装置包括气体填充部分、气体密封部分、放射线照射部分、RI标记化合物合成部分、杂质分离部分；通过本发明，可以实现靶子气体的重复利用，降低制造成本，提高放射性同位素的制造效率，使辐射伤害的可能性降到最低，同时实现低价供给。