发明公开
CN111584490A 分离的三维纵向存储器
审中-实审
- 专利标题： 分离的三维纵向存储器
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申请号： CN202010369182.5申请日： 2015-02-26
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公开(公告)号： CN111584490A公开(公告)日： 2020-08-25
- 发明人: 张国飙
- 申请人： 杭州海存信息技术有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市5288信箱
- 专利权人： 杭州海存信息技术有限公司
- 当前专利权人： 杭州海存信息技术有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市5288信箱
- 主分类号： H01L27/112
- IPC分类号： H01L27/112
摘要：
分离的三维纵向存储器（3D-MV）50含有一三维阵列芯片30和一周边电路芯片40/60。三维阵列芯片30含有多个3D-MV阵列，每个3D-MV阵列含有多个竖直存储串。3D-MV阵列的一周边电路位于周边电路芯片40/60内，而非三维阵列芯片30内。在垂直于芯片30方向上竖直存储串16X所含存储元8a-8h的数目大于在垂直于芯片40/60方向上芯片40/60所含互连线层的数目。
IPC分类:
