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公开(公告)号：CN117060916A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311016562.0
申请日：2017-03-06
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H03K19/17728 , H03K19/17704
摘要： 本发明提出一种可编程门阵列，同一批次的该类芯片可以实现不同数学函数。可编程门阵列含有多个可编程连接和多个可编程计算单元。每个可编程计算单元含有至少一个存储器阵列，该存储器阵列存储一数学函数的查找表（LUT）。在设置阶段，根据用户需要将数学函数的LUT加载到该存储器阵列中；在计算阶段，通过查找LUT来获得数学函数的值。
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公开(公告)号：CN111446247B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010416480.5
申请日：2017-03-07
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
摘要： 兼具查毒功能的存储器是对分布式模式处理器的拓展，它根据输入的病毒标识对自身存储的用户数据进行本地查毒。该存储器含有多个存储处理单元，每个存储处理单元都含有一个包括代码匹配电路的模式处理电路和至少一个存储至少部分用户数据的三维存储（3D‑M）阵列。模式处理电路中的所有晶体管均位于一半导体衬底中；3D‑M阵列中的所有存储元均不位于任何半导体衬底中。
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公开(公告)号：CN107154797B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201710126062.0
申请日：2017-03-05
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H03K19/17704
摘要： 本发明提出一种基于三维印录存储器（3D‑P）的可编程门阵列。它含有一可编程计算单元阵列、一个可编程逻辑单元阵列和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有多个3D‑P阵列，这些3D‑P阵列存储一基本数学函数库的查找表（LUT）。
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公开(公告)号：CN107346149B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710309818.5
申请日：2017-05-04
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： G06F1/035
摘要： 本发明提出一种用于计算一数学函数、基于背面查找表（BS‑LUT）的处理器。它含有一查找表电路（LUT）和一算术逻辑电路（ALC）。LUT位于处理器衬底的背面，其存储的数据与该数学函数相关。ALC位于处理器衬底的正面，它对该函数相关数据进行算术运算。LUT与ALC通过多个穿透硅片通道（TSV）电耦合。
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公开(公告)号：CN111584490A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010369182.5
申请日：2015-02-26
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/112
摘要： 分离的三维纵向存储器（3D-MV）50含有一三维阵列芯片30和一周边电路芯片40/60。三维阵列芯片30含有多个3D-MV阵列，每个3D-MV阵列含有多个竖直存储串。3D-MV阵列的一周边电路位于周边电路芯片40/60内，而非三维阵列芯片30内。在垂直于芯片30方向上竖直存储串16X所含存储元8a-8h的数目大于在垂直于芯片40/60方向上芯片40/60所含互连线层的数目。
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公开(公告)号：CN111463203A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010416473.5
申请日：2017-03-07
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/105
摘要： 兼具图像识别功能的存储器是对分布式模式处理器的拓展，它根据输入的图像模型（如所需寻找的图像）对自身存储的用户图像数据进行本地图像检索。该存储器含有多个存储处理单元，每个存储处理单元都含有一个包括图像识别电路的模式处理电路和至少一个存储至少部分图像数据的三维存储（3D-M）阵列。模式处理电路中的所有晶体管均位于一半导体衬底中；3D-M阵列中的所有存储元均不位于任何半导体衬底中。
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公开(公告)号：CN111435459A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910029526.5
申请日：2019-01-13
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： G06N3/06
摘要： 双面神经网络处理器(100)含有多个储算单元(100aa-100mn)，每个储算单元(100ij)含有至少一存储阵列(170)和一神经计算电路(180)。神经网络处理器封装(100) 形成在一含有第一表面(0a)和第二表面(0b)的半导体衬底(0)上。第一表面(100a)含有存储阵列(170)，第二表面(100b)含有神经计算电路(180)。存储阵列(170)和神经计算电路(180)通过多个表面间连接(160)电耦合。
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公开(公告)号：CN111384050A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010416474.X
申请日：2017-03-07
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/105
摘要： 用于图像识别的处理器为一种分布式模式处理器，它根据存储的图像模型对输入的图像数据进行图像识别。该处理器含有多个存储处理单元，每个存储处理单元都含有一个包括图像识别电路的模式处理电路和至少一个存储至少部分图像模型的三维存储（3D-M）阵列。模式处理电路中的所有晶体管均位于一半导体衬底中；3D-M阵列中的所有存储元均不位于任何半导体衬底中。
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公开(公告)号：CN110085622A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810072214.8
申请日：2018-01-25
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
摘要： 本发明提出一种三维纵向电编程存储器（3D-EPMV）。它含有多层堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，一层覆盖存储井边墙、厚度小于100nm的薄存储膜（包括编程膜和二极管膜），多条形成在存储井中的竖直地址线。由于薄存储膜具有较大反向漏电流，为了避免读错误或高能耗，存储阵列中存储元所受的最大反向偏置电压的值远小于最小正向偏置电压。
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公开(公告)号：CN107046036B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610083717.6
申请日：2016-02-08
申请人： 杭州海存信息技术有限公司
发明人： 张国飙
IPC分类号： H01L27/112
摘要： 本发明提出一种分离的三维一次电编程存储器（3D‑OTP）50，它含有至少一三维阵列芯片30和至少一电压产生器芯片40。至少一电压产生器位于电压产生器芯片40内，而非三维阵列芯片30内。电压产生器为三维阵列芯片30产生读/写电压。
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