发明授权
- 专利标题: 一种阻抗匹配型超材料的设计方法
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申请号: CN202010487455.6申请日: 2020-06-02
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公开(公告)号: CN111585034B公开(公告)日: 2021-09-07
- 发明人: 沈同圣 , 邹春荣 , 郭少军 , 周晓松 , 黎松
- 申请人: 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
- 申请人地址: 北京市丰台区丰台东大街53号
- 专利权人: 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
- 当前专利权人: 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区丰台东大街53号
- 代理机构: 中国兵器工业集团公司专利中心
- 代理商 刘瑞东
- 主分类号: H01Q15/00
- IPC分类号: H01Q15/00 ; H01Q17/00
摘要:
本发明属于电磁功能材料技术领域。本发明提出一种阻抗匹配型超材料的设计方法,可根据特定的吸波频段需求,基于阻抗匹配原理进行超材料结构参数的设计,该方法采用频率对称设计方法,将介质层材料的共振频率作为超材料吸收频率的中心频率位置,通过计算截止频率处超材料表层结构的等效集总电阻、等效电感及等效电容,得到超材料的表面阻抗及目标频段内的电磁吸收率,进而通过改变方形环的方阻值实现目标频段内的高效吸收,方形环单元的周期、长度、线宽根据超材料的等效电感及等效电容值计算确定。本发明设计方法简单、宽频吸收效果好的特点,实际应用可行性大,在微波宽频隐身蒙皮、吸波器件等领域具有广泛的用途。
公开/授权文献
- CN111585034A 一种阻抗匹配型超材料的设计方法 公开/授权日:2020-08-25