本申请公开了一种半导体器件的金属化方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底中形成IGBT器件的元胞结构；在所述衬底的正面形成金属电极；对所述衬底的背面进行平坦化预处理；对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；在所述衬底的背面形成集电区；利用化学镀工艺在所述衬底的正面镀上目标金属；在所述衬底的背面形成金属层；解决了在对IGBT器件的正面实施化镀工艺后，晶圆背面容易出现金属脱落的问题；达到了避免化学镀工艺后晶圆背面出现金属脱落，优化化学镀工艺与IGBT器件制造工艺结合效果的效果。