发明授权
- 专利标题: 一种半导体器件及其制造方法
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申请号: CN202010494868.7申请日: 2020-06-03
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公开(公告)号: CN111599758B公开(公告)日: 2023-03-10
- 发明人: 王桂磊 , 亨利·H·阿达姆松 , 孔真真 , 李俊杰 , 刘金彪 , 李俊峰 , 殷华湘
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 柳虹
- 主分类号: H01L21/8234
- IPC分类号: H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L29/78
摘要:
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,在衬底上可以形成介质层,在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层,第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同,第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中,包括第一掺杂材料层、第一沟道层和第二掺杂材料层,第二堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第二通孔中,包括第三掺杂材料层、第二沟道层和第四掺杂材料层,之后,可以在第一堆叠层中形成第一器件,以及在第二堆叠层中形成第二器件。这样,源漏之间存在纵向的沟道层,沟道层的长度与膜层的厚度相关,无需高成本高精度的刻蚀,因此能够利用较低的成本和简易的工艺得到小尺寸高性能的器件,此外,能够提供多样化的器件结构,更能满足用户需求。
公开/授权文献
- CN111599758A 一种半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2020-08-28
IPC分类: