发明公开
- 专利标题: 卤氧化硅铋材料及其制备方法与应用
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申请号: CN202010491590.8申请日: 2020-06-02
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公开(公告)号: CN111604067A公开(公告)日: 2020-09-01
- 发明人: 韩晔红 , 闫宏远 , 苑亚楠 , 王明伟 , 韩丹丹 , 杨春柳
- 申请人: 河北大学
- 申请人地址: 河北省保定市五四东路180号河北大学
- 专利权人: 河北大学
- 当前专利权人: 河北大学
- 当前专利权人地址: 河北省保定市五四东路180号河北大学
- 代理机构: 石家庄国域专利商标事务所有限公司
- 代理商 黄慧慧
- 主分类号: B01J27/08
- IPC分类号: B01J27/08 ; B01J35/00 ; C02F1/30 ; C02F101/30
摘要:
本发明提供了一种卤氧化硅铋材料及其制备方法与应用,卤氧化硅铋材料的通式为BiSiOXaIb,其中,X=Cl或Br,0.5≤a≤2,0≤b≤1,其采用如下方法制得:以铋的无机盐为反应原料,以硅烷化低共溶溶剂或硅烷化离子液体为反应溶剂,将反应原料溶解于反应溶剂后,在pH为7~9下于70~80℃溶剂热反应18~24h,固液分离、洗涤、干燥后即得。本发明所制得的卤氧化硅铋材料比表面积大,吸附性能好,提升光生电子和空穴的分离效率,延长载流子的寿命,光催化活性高,氧化能力强,具有良好的稳定性和可重复利用性,可用于吸附催化去除环境水中多种内分泌干扰物,具有广泛的应用前景。
公开/授权文献
- CN111604067B 卤氧化硅铋材料及其制备方法与应用 公开/授权日:2022-11-11