- 专利标题: 一种用于碳陶瓷线性电阻的高阻层及其制备方法
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申请号: CN202010506966.8申请日: 2020-06-05
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公开(公告)号: CN111627627B公开(公告)日: 2021-08-10
- 发明人: 陈维 , 姚旭瑞 , 陈炜岳 , 郝留成 , 宋继光 , 毛航银 , 徐晨博
- 申请人: 西安交通大学 , 平高集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号西安交通大学; ;
- 专利权人: 西安交通大学,平高集团有限公司,国网浙江省电力有限公司
- 当前专利权人: 西安交通大学,平高集团有限公司,国网浙江省电力有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号西安交通大学; ;
- 代理机构: 北京市诚辉律师事务所
- 代理商 范盈
- 主分类号: H01C7/00
- IPC分类号: H01C7/00 ; H01C17/30 ; H01C17/065
摘要:
本发明公开一种用于碳陶瓷线性电阻的高阻层及其制备方法,高阻层是以莫来石粉、粘土、氧化铬和玻璃粉为原料,再添加去离子水混合均匀,经过球磨制备而成;本发明制得的高阻层在高温烧结后会形成多孔结构,该结构一方面有利于SF6绝缘气体进入电阻高阻层及瓷体内部,从而提升其对电压冲击的耐受能力;另一方面多孔结构有利于碳陶瓷线性电阻内部气体热膨胀及和外部进行热量交换,从而提升电阻通流耐受能力;本发明的高阻层在电阻坯体高温烧结后涂覆,高阻层二次烧结温度较低,烧结过程对电阻侧面微观组成及结构影响小,避免了对线性电阻本身电阻率和线性度的影响,本发明制备工艺简单易操作,原料无毒无污染,实现了对线性电阻的保护。
公开/授权文献
- CN111627627A 一种用于碳陶瓷线性电阻的高阻层及其制备方法 公开/授权日:2020-09-04