发明授权
- 专利标题： 单晶4H-SiC生长用籽晶及其加工方法
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申请号： CN201880087282.X申请日： 2018-12-21
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公开(公告)号： CN111630213B公开(公告)日： 2022-01-18
- 发明人: 贵堂高德 , 长屋正武 , 鹰羽秀隆
- 申请人： 昭和电工株式会社 , 株式会社电装
- 申请人地址： 日本东京都;
- 专利权人： 昭和电工株式会社,株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社力森诺科,株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 王潇悦; 段承恩
- 优先权： 2018-009989 20180124 JP
- 国际申请： PCT/JP2018/047225 2018.12.21
- 国际公布： WO2019/146336 JA 2019.08.01
- 进入国家日期： 2020-07-21
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; B24B7/22 ; C30B23/00 ; C30B33/00 ; H01L21/304
摘要：
本发明的单晶4H‑SiC生长用籽晶是直径大于150mm，厚度为1mm以上且为所述直径的0.03倍以下的范围内的圆板状的单晶4H‑SiC生长用籽晶，生长单晶4H‑SiC的那一侧的面是镜面，另一侧的面的Ra大于10nm，并且自由变形从而内部应力分布降低了的状态下的波纹度大小的绝对值为12μm以下。
公开/授权文献
- CN111630213A 单晶4H-SiC生长用籽晶及其加工方法 公开/授权日：2020-09-04
IPC分类:
