公开(公告)号：CN112567077A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980054072.5

申请日：2019-08-13

申请人： 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 野口骏介 ,  藤川阳平 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/02

摘要： 在该SiC单晶中，通过俯视中心且沿着 方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量与通过俯视中心且沿着与所述 方向垂直的 方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量之差为60μm以下。

公开(公告)号：CN112567077B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201980054072.5

申请日：2019-08-13

申请人： 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 野口骏介 ,  藤川阳平 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/02

摘要： 在该SiC单晶中，通过俯视中心且沿着 方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量与通过俯视中心且沿着与所述 方向垂直的 方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量之差为60μm以下。

公开(公告)号：CN110268106B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201780079551.3

申请日：2017-12-22

申请人： 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 藤川阳平 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

摘要： 本发明提供一种SiC晶片以及SiC晶片的制造方法。该SiC晶片中，在第一面外露的穿透位错的穿透位错密度与在第二面外露的穿透位错的穿透位错密度之差为所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面上的穿透位错密度的10％以下，在所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面外露的穿透位错中的90％以上延伸到穿透位错密度低的那一面。

公开(公告)号：CN111630213A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880087282.X

申请日：2018-12-21

申请人： 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 贵堂高德 ,  长屋正武 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  B24B7/22 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

摘要： 本发明的单晶4H-SiC生长用籽晶是直径大于150mm，厚度为1mm以上且为所述直径的0.03倍以下的范围内的圆板状的单晶4H-SiC生长用籽晶，生长单晶4H-SiC的那一侧的面是镜面，另一侧的面的Ra大于10nm，并且自由变形从而内部应力分布降低了的状态下的波纹度大小的绝对值为12μm以下。

公开(公告)号：CN111630213B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201880087282.X

申请日：2018-12-21

申请人： 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 贵堂高德 ,  长屋正武 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  B24B7/22 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

摘要： 本发明的单晶4H‑SiC生长用籽晶是直径大于150mm，厚度为1mm以上且为所述直径的0.03倍以下的范围内的圆板状的单晶4H‑SiC生长用籽晶，生长单晶4H‑SiC的那一侧的面是镜面，另一侧的面的Ra大于10nm，并且自由变形从而内部应力分布降低了的状态下的波纹度大小的绝对值为12μm以下。

公开(公告)号：CN110268106A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201780079551.3

申请日：2017-12-22

申请人： 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 藤川阳平 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

摘要： 本发明提供一种SiC晶片以及SiC晶片的制造方法。该SiC晶片中，在第一面外露的穿透位错的穿透位错密度与在第二面外露的穿透位错的穿透位错密度之差为所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面上的穿透位错密度的10％以下，在所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面外露的穿透位错中的90％以上延伸到穿透位错密度低的那一面。

公开(公告)号：CN110050091B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201780075628.X

申请日：2017-12-15

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 藤川阳平 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/06

摘要： 本发明的碳化硅单晶的制造方法是使用导向构件而使上述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，并且在上述单晶生长工序与上述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，所述单晶生长工序以在上述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与上述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面的晶体的间隙不闭塞的方式使碳化硅单晶生长，所述晶体生长结束工序使温度降低来结束晶体生长，所述间隙扩大工序将上述间隙的入口附近的原料气体内的Si2C的分压Pin与上述间隙的出口附近的原料气体内的Si2C的分压Pout之差Pin‑Pout维持为0.18torr以下的状态来扩大上述间隙。

公开(公告)号：CN110050091A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780075628.X

申请日：2017-12-15

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 藤川阳平 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/06

摘要： 本发明的碳化硅单晶的制造方法是使用导向构件而使上述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，并且在上述单晶生长工序与上述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，所述单晶生长工序以在上述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与上述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面的晶体的间隙不闭塞的方式使碳化硅单晶生长，所述晶体生长结束工序使温度降低来结束晶体生长，所述间隙扩大工序将上述间隙的入口附近的原料气体内的Si2C的分压Pin与上述间隙的出口附近的原料气体内的Si2C的分压Pout之差Pin-Pout维持为0.18torr以下的状态来扩大上述间隙。

公开(公告)号：CN112639177A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980053250.2

申请日：2019-08-13

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 野口骏介 ,  藤川阳平 ,  鹰羽秀隆

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/02

摘要： 该SiC单晶，穿过俯视中心并沿着 方向切断的切断面中的原子排列面、和穿过俯视中心并沿着垂直于所述 方向的 方向切断的切断面中的原子排列面，向同一方向弯曲。