本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ-高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布，从而实现更高的击穿电压。结构参数优化的EJ-高电子迁移率晶体管晶体管，当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能，这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ-高电子迁移率晶体管结构晶体管，导通电阻为15.37Ωmm，功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm-2。与没有内置PN结的晶体管相比，新器件EJ-高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54％，功率半导体器件基础品质因数提高了71.3％,而两者的导通电阻相差不大。