一种AR/MR设备语音识别的方法和装置及系统

    公开(公告)号:CN112735393B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202011587781.0

    申请日:2020-12-29

    发明人: 黄石磊 刘轶 王昕

    摘要: 本发明公开了一种AR/MR设备语音识别的方法和装置及系统。所述方法包括:在AR/MR设备的虚拟视场中显示一投射屏幕和一虚拟屏幕,投射屏幕是将智能手持设备的显示屏幕投射到虚拟视场中形成的;在智能手持设备的显示屏幕上显示一语音识别功能界面;根据用户在智能手持设备语音识别功能界面的操作,进行语音录入和语音识别,将识别出的多个候选结果显示在虚拟屏幕上,对多个候选结果进行选择和确认。本发明利用AR/MR更加方面、更加清晰的显示语音识别的多个候选结果,不会影响智能手持设备本身的应用界面;通过语音识别功能界面进行触摸滑动,可以更加方便直观的选择候选结果,提高了操作便捷性,可以实现手不离设备的操作和单手操作。

    高像素手机摄像镜头精密耦合图案获取系统

    公开(公告)号:CN117041525A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310912860.1

    申请日:2023-07-24

    发明人: 蒋仕龙 陈方涵

    摘要: 本发明实施例提供高像素手机摄像镜头精密耦合图案获取系统,所述高像素手机摄像镜头由待组立镜头组装而成,包括:成像装置,所述成像装置包括有至少3个子成像系统,所述子成像系统由子成像镜头和成像芯片组成,所述至少3个子成像系统离散采集不同视场点的图案,其中所述成像装置设置于待组立镜头的一侧;目标分划图案,所述目标分划图案设置在待组立镜头远离所述成像装置的一侧;照明装置,所述照明装置设置在所述目标分划图案远离所述待组立镜头的一侧;其中目标分划图案依次经过所述待组立镜头和子成像镜头后聚焦到所述成像芯片上。

    单原子负载多孔碳-纳米氧化铁核壳材料及其制备与应用

    公开(公告)号:CN116936748A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311103884.9

    申请日:2023-08-30

    摘要: 本发明公开了一种单原子负载多孔碳‑纳米氧化铁核壳材料及其制备与应用,采用纳米氧化铁作为硬模板,利用高分子聚合物在氧化铁自聚合反应,形成具有核壳结构的聚合物包覆纳米氧化铁颗粒(PM@Fe2O3);然后利用酞菁盐类中的金属原子与纳米氧化铁颗粒表面的聚合物官能团形成强的π‑π相互作用,从而得到单一金属元素掺杂聚合物包覆的纳米氧化铁颗粒,并在氩气气体氛围下高温处理得到单原子负载的多孔碳‑纳米氧化铁核壳材料,该材料可以应用于锂硫电池。本发明所制备的单原子负载多孔碳‑纳米氧化铁核壳材料兼具单原子的高催化活性和氧化物的强极性作用,显著改善锂硫电池的反应动力学,在宽的温度区间实现了电池的稳定循环。

    印刷电路板与FPC柔性电缆线的装配方法及相关设备

    公开(公告)号:CN114347013A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111305937.6

    申请日:2021-11-05

    摘要: 本发明公开了一种印刷电路板与FPC柔性电缆线的装配方法及相关设备,其中装配方法包括:选用机器人基座世界坐标作为基础坐标系,通过离线标定算法,得到所述基础坐标系与图像坐标系之间的位姿关系;定位得到所述印刷电路板与所述FPC柔性电缆线上装配件的像素坐标,通过所述位姿关系将所述像素坐标转换到所述基础坐标系中,得到转换后的所述像素坐标之间的补偿差值;所述机械手根据所述补偿差值移动完成所述印刷电路板与所述FPC柔性电缆线之间的装配。本发明通过建立基础坐标系与图像坐标系之间的位姿关系,将识别到的装配物料的像素坐标转换到统一坐标系中进行差值的计算,进而控制机械手进行精准的补偿差值的运转,从而实现效率高的精准装配。

    一种小型化窄线宽半导体激光器

    公开(公告)号:CN110190508B

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN201910446995.7

    申请日:2019-05-27

    IPC分类号: H01S5/068

    摘要: 本发明涉及为了解决法拉第原子滤光器小型化问题,特公开本发明:一种小型化窄线宽半导体激光器,包括半导体激光发射头、准直透镜、小型化法拉第原子滤光器、外腔镜和电路控制单元;其中,半导体激光发射头、小型化法拉第原子滤光器和外腔镜均与电路控制单元电连接;控制电路单元包括控制半导体激光发射头的电流,控制小型化法拉第原子滤光器的温度,控制外腔镜的位移量;半导体激光发射头用于发射激光。本发明以原子跃迁谱线为基准频率,并且同时使用电反馈和光反馈,激光输出频率稳定性高,在此基础上提出了小型化方案,此发明可以大为缩减激光器的体积,节约产生和使用成本,不仅易于使用,还能拓展更多的应用场合。

    一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法

    公开(公告)号:CN113745123A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202010461418.8

    申请日:2020-05-27

    IPC分类号: H01L21/66 G06F30/337

    摘要: 本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法,包括以下步骤:测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线;将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减,得到截距以及两个不同斜率因子;将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减,得到具有极值的差分函数谱曲线;在任意差分函数谱曲线上,获取二个极值点的栅电流极值;将获得的二个栅电流极值代入提取公式,可以提取得到一次栅电流的关键参数值;将两个对数差分函数谱提取的栅电流的关键参数值求平均值,得到栅电流关键参数值,这种方法简单、适用性强、误差小,能抑制小尺寸引起的器件短沟效应和非本征效应。

    一种漫反射激光冷却冷原子弥散探测的装置和方法

    公开(公告)号:CN113720485A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202111039609.6

    申请日:2021-09-06

    IPC分类号: G01J11/00

    摘要: 本发明公开了一种漫反射激光冷却冷原子弥散探测的装置和方法,涉及激光冷却技术领域。本发明包括冷原子团、注入光纤和圆柱形腔体,圆柱形腔体为空腔结构,冷原子团设置在圆柱形腔体内部,注入光纤放置在圆柱形腔体一侧,圆柱形腔体一侧设置有第一开口,注入光纤的位置与第一开口的位置相适应,注入光纤一端发散出若干弥散探测光。本发明利用弥散吸收探测技术,有效地增大了冷原子与探测光的相互作用区域,提高了可以被探测到的冷原子数目,实现了提高冷原子利用率的目标,不仅可增大冷原子与探测光的相互作用区域,并解决现有技术中所存在的冷原子利用率低等问题,而且装置结构简单、易实现,且材料和加工成本低。

    音频溯源方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN113162697A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110374262.4

    申请日:2021-04-07

    IPC分类号: H04B11/00 H04L29/06

    摘要: 本申请涉及音频处理技术领域,揭露了一种音频溯源方法,包括:在第一音频设备中,将第一音频设备的设备信息进行数字编码及调制操作,得到第一音频信号;利用所述第一音频设备按照预设频段播放所述第一音频信号,并采集含有所述第一音频信号和环境音频信号的第二音频信号,并将所述第二音频信号传输至第二音频设备中;在第二音频设备中,提取所述第二音频信号,并对所述第二音频信号进行信息提取,得到所述第一音频信号,对所述第一音频信号进行解调及数据解码,得到所述第一音频设备的设备信息。此外,本申请还涉及一种音频溯源装置、设备及存储介质。本申请可解决对音频来源的识别真实性较低的问题。

    混合菲涅尔透镜干涉滤光片光学元件

    公开(公告)号:CN110221446A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910306991.9

    申请日:2019-04-17

    IPC分类号: G02B27/30 G02B3/08 G02B5/28

    摘要: 本发明涉及一种混合菲涅尔透镜干涉滤光片光学元件。光学元件集成菲涅尔透镜与超窄带干涉滤光片,菲涅尔透镜的前表面为齿纹面,后表面为平整面,以菲涅尔透镜的平整面作为基底,在基底上交替镀制具有滤光作用的薄膜组;薄膜组由高折射率材料和低折射率材料相间镀制而成;菲涅尔透镜起到光束准直作用,准直光束经所述多层高折射率材料-低折射率材料干涉滤光片薄膜组选频得到单波长光束;高折射率材料-低折射率材料选自ZnS-MgF2、TiO2-SiO2或Si-SiO2,TiO2-Nb2O5中的一种或其组合。