本发明提供一种新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且采用单卡位单插的方式放置，在P型单晶硅片的正面和背面同时形成AlOx层，然后在背面沉积SiNx层。本发明通过在正面形成全覆盖的AlOx层且位于SiNx层上方，实现了折射率的变化次序，更有利于光线的全反射，增加电池对入射光的有效吸收，且有利于降低金属区域的接触电阻率，提升电池的填充因子，提升电池的光电转换效率。