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公开(公告)号：CN118888612A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411212214.5
申请日：2024-08-30
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池由上至下依次包括基底层、隧穿层、导电层和电极层，所述电极层占所述太阳能电池背面的面积小于第一预设值，所述第一预设值为范围在25％‑35％中任一值；所述导电层包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述电极层不对应，所述第二区域与所述电极层对应，所述第一区域的结构为单层结构，所述第二区域的结构为多层结构，所述多层结构由多层由下至上折射率逐渐增大的结构层组成。本发明的技术方案实现了光在电池内部的均匀分布，提高了光吸收率，进而提升了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114220875B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202111469319.5
申请日：2021-12-03
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 一种MWT电池背铝电极及印刷网板，包括晶硅板、印刷网板，所述晶硅板背部设置有背铝电极，所述背铝电极电性连接有数个阵列的背银电极，所述晶硅板阵列设置有数个贯穿所述晶硅板的填孔电极，所述填孔电极与所述背银电极等间隔设置，所述背铝电极设置有所述印刷网板，其中，所述背铝电极对应所述填孔电极外周的位置一体成型有凸起部，所述凸起部的厚度等于所述填孔电极的厚度，所述印刷网板对应所述凸起部的位置设置有断丝部。本申请通过在背铝电极上设置数个与填孔电极外周相对的凸起部来缩减或消逝与填孔电极之间的厚度差，增大了在数块晶硅板需要堆叠设置时相互之间的接触面积，降低了晶硅板上正面电极被划伤和断栅的风险。
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公开(公告)号：CN109494274B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201811528490.7
申请日：2018-12-13
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法，其中，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。
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公开(公告)号：CN118574438A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411040651.3
申请日：2024-07-31
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
摘要： 本申请涉及晶硅叠层太阳能电池及其制作方法，旨在改善叠层太阳能电池之间的电连接，促进载流子的有效收集，并减少界面光损失。第一导电层设计有凹凸结构，中间绝缘层填充在凹槽内，而部分凸块的上表面则凸出绝缘层，与第二导电层电连接，增强层间的电连接性能，还有助于光线的折射和散射，并且通过进一步优化设计达到更好地电连接性能和光吸收效果，方法便于工艺控制，设置的多层结构确保了电池的稳定性和性能。而在第一导电层内加入金属栅线，则增强了电流收集能力。本申请提供的晶硅叠层太阳能电池及其制作方法在改善电连接、促进载流子收集、减少界面光损失等方面具有较好的技术效果，为叠层太阳能电池技术的发展提供了新的解决方案。
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公开(公告)号：CN118494000A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410809694.7
申请日：2024-06-21
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
发明人： 张俊巍
摘要： 本发明公开了一种网版印刷组件、印刷方法及印刷设备，包括：主栅网版，设置有镂空的主栅印刷孔和焊盘印刷孔；副栅网版，设置有多个镂空且垂直于主栅印刷孔的副栅印刷孔，所述副栅印刷孔为宽度一致的矩形孔，浆料从中部流出。有益之处在于，副栅网版取消了副栅与主栅连接处的渐变线，主栅线与副栅线重叠区域不做镂空处理，先印刷副栅再印刷主栅及焊盘。先印刷副栅再印刷主栅为副栅线较细，防止先印主栅后在上面叠印副栅时因高度差出现交界处断开的现象。可以避免浆料从副栅汇入主栅时因副栅较细不能有效填满渐变区域汇入主栅而导致的断栅情况，从而提高产品品质。
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公开(公告)号：CN114695588B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011643595.4
申请日：2020-12-30
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/20 , H01L21/30
摘要： 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法，高效异质结电池结构包括：中间电池结构，设有n型单晶硅层；正面电池结构，包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；以及背面电池结构，包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；其中，p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。通过上述设置，可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。
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公开(公告)号：CN109968799B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910355371.4
申请日：2019-04-29
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： B41F15/36 , B41M1/12 , B41M1/26 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。
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公开(公告)号：CN114447147B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111624966.9
申请日：2021-12-28
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种提高太阳能电池用硅片制绒良率的方法，包括对硅片的制绒槽通过如下步骤进行预清洗：A、向所述制绒槽内加入碱液和双氧水的第一混合液，加热，鼓泡处理至少10小时，期间每隔一段时间添加双氧水；B、排空制绒槽内的第一混合液，加入去离子水进行清洗；C、向制绒槽内加入碱液和制绒添加剂的第二混合液，加热，鼓泡处理至少10小时；D、排空制绒槽内的第二混合液，加入去离子水进行清洗。本发明通过对太阳能电池的硅片制绒槽进行预处理，改善制绒良率，进而提高电池转换效率。
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公开(公告)号：CN109449229B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811564136.X
申请日：2018-12-20
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/043 , H01L31/049 , H01L31/05 , H01L31/054
摘要： 本发明属于光伏组件技术领域，具体涉及一种叠瓦光伏组件，通过缩短汇流条与电池串头部或尾部电池片边缘之间的距离，使汇流条与连接焊带处于同一平面上，汇流条与焊带均无需折弯处理；并在叠瓦光伏组件正中间的相邻两个电池串之间设有间距，从汇流条引出的引出线位于该间距内，引出线与电池片、汇流条处于同一平面上，引出线不与其两侧的电池片相接触，无需增设绝缘隔离条进行隔离处理。本发明的这些设计降低了电池片断裂和隐裂的风险，增加了组件的可靠性，并且背板具有二次光反射功能，可使电池片的正反两面均能接受更多的光线辐照，增加了组件功率。
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公开(公告)号：CN117117043A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311360809.0
申请日：2023-10-20
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/06
摘要： 本申请涉及N型钝化接触电池的形成方法及其制造系统，通过喷涂包括氧化硼的浆料，在形成浆料后通过激光的方式进行掺杂，激光处理包括两种能量的激光，一种激光能量用于扩散形成PN结，使用另外一种激光能量形成重掺杂区域，对应栅线区域形成选择性发射极，该方法中无需使用气体扩散炉，并且通过在一个激光处理腔室内形成电池片结构PN结及重掺杂区，另外本申请还提供了一种用于制造N型钝化接触电池的制造系统，通过该系统实现了电池片的链式制备，使该方法能够商业化应用。
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