发明公开
- 专利标题: 一种无针孔大面积可控生长钙钛矿成膜工艺
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申请号: CN202010558936.1申请日: 2020-06-18
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公开(公告)号: CN111710785A公开(公告)日: 2020-09-25
- 发明人: 寿春晖 , 盛江 , 赵敏 , 闫宝杰 , 闫锦 , 张永强 , 杨伟创 , 叶继春 , 丁莞尔
- 申请人: 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 申请人地址: 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路2159-1号1幢5楼
- 专利权人: 浙江浙能技术研究院有限公司,中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人: 浙江浙能技术研究院有限公司,中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路2159-1号1幢5楼
- 代理机构: 杭州九洲专利事务所有限公司
- 代理商 张羽振
- 主分类号: H01L51/48
- IPC分类号: H01L51/48 ; H01L51/42
摘要:
本发明涉及一种无针孔大面积可控生长钙钛矿成膜工艺,包括:步骤1、制备低表面能材料衬底;步骤2、采用热蒸发沉积PbI2层;步骤3、采用旋涂法在PbI2薄膜上旋涂MAI/FAI的异丙醇溶液。本发明的有益效果是:本发明提供了一种用于大面积热蒸镀、改善薄膜质量的低表面能材料,降低成核活化能的同时增强PbI2层的沉积;采用的旋涂工艺使反应完全进行,更好地覆盖底层粗糙表面,低表面能添加剂的使用更好地匹配衬底与钙钛矿层的极性,有效避免了由于局部亲疏水性的改变引入的缩孔现象,在提高成膜质量的同时,有效调控晶体质量,实现可控的大面积致密无针孔成膜技术。
公开/授权文献
- CN111710785B 一种无针孔大面积可控生长钙钛矿成膜工艺 公开/授权日:2022-08-16
IPC分类: