本申请半导体制造技术领域，具体涉及一种用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法。所述用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，包括：将淀积有多晶硅层的器件置入刻蚀系统的反应腔中；提供六氟化硫气体和四氯化硅气体的混合作为刻蚀气体，所述刻蚀气体中的六氟化硫气体和四氯化硅气体的流量比为2.5：1至4：1；使得所述刻蚀气体在刻蚀系统的工作环境下，对淀积有多晶硅层的器件进行刻蚀，形成生成物；抽走所述生成物。所述用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，可以解决多晶硅表面不平整，晶圆表面缺陷较多的问题。