公开(公告)号：CN113782460B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202110923120.9

申请日：2021-08-12

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 杨伟 ,  方正 ,  谷云鹏 ,  吴长明 ,  姚振海 ,  陈骆

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本申请公开了一种监控晶圆的表面亲水性的检测方法，包括：将监控晶圆放置于涂胶机台的载片台上，监控晶圆是再生后的监控晶圆；将亲水性溶液涂布在监控晶圆上，旋转监控晶圆；检测监控晶圆表面，当监控晶圆表面的颗粒物不满足要求时，确定监控晶圆的亲水性不满足要求，该颗粒物是由于监控晶圆的亲水性降低从而在涂布亲水性水溶液后产生气泡所导致的产物。本申请通过在监控晶圆再生完成后，在其表面涂布亲水性溶液，旋转监控晶圆，检测其表面的颗粒物，根据颗粒物的检测结果确定监控晶圆的亲水性是否满足要求，解决了监控晶圆由于亲水性的变化影响光阻涂布从而造成膜厚均匀性/颗粒状况发生变化的问题。

公开(公告)号：CN117715423A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311594996.9

申请日：2023-11-27

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 江扬帆 ,  吴长明 ,  冯大贵 ,  余鹏 ,  孙建 ,  李先宏 ,  汪大贤

IPC分类号： H10B41/30 ,  H10B41/50 ,  H01L21/311

摘要： 本申请提供一种闪存器件的制备方法，包括：提供一衬底，存储区的衬底上形成有闪存结构，外围逻辑区的衬底上形成有栅介质层，存储区和外围逻辑区的交界处构成台阶；形成多晶硅层；进行光刻返工；灰化去除存储区和台阶位置的光刻胶层，灰化过程中，存储区和台阶上形成氧化层；对氧化层进行第一次刻蚀；对氧化层进行第二次刻蚀；对多晶硅层进行主刻蚀；对剩余多晶硅层进行过刻蚀。本申请通过对存储区和台阶上的氧化层进行第一次刻蚀，并对台阶上剩余的氧化层进行第二次刻蚀，可以完全去除台阶上表面和侧表面的氧化层，避免了台阶侧面的多晶硅层被先刻蚀形成侧掏导致台阶拐角位置未被刻蚀的氧化层和多晶硅层掉落并成为残留的情况，提高了器件良率。

公开(公告)号：CN116844942A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310919129.1

申请日：2023-07-25

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 吉斌斌 ,  吴长明 ,  冯大贵 ,  余鹏 ,  孙建 ,  周乾 ,  李安东

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/311

摘要： 本发明实施例公开了一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法；于工件预设厚度的图形、图形对应的沟槽侧边构造一调整结构，即第三介质层（030），并通过改变其厚度来实现对工件特征尺寸的干预；其中，第三介质层（030）的厚度，即第三厚度的增加促使特征图形的目标线宽或关键尺寸CD（Critical Dimension），亦即第九宽度（090）获得减小的趋势；进而克服了相关技术中关键尺寸CD与参考尺寸或基准尺寸BL（BaseLine）不匹配的技术问题；同时，其沟道结构亦给出了实现上述过程的核心构造；相应地，第三介质层（030）可采用沉积的氧化层承担，而四氯化硅的使用方法在上述过程的实现中也达成了同样的发明构思；在预设的组分配比下，将进一步改进特征图形的处理效率。

公开(公告)号：CN111524784B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202010346766.0

申请日：2020-04-27

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 阚保国 ,  阚杰 ,  曹春生 ,  冯大贵 ,  吴长明

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

摘要： 本申请公开了一种等离子体设备和半导体器件的制备方法，该设备包括：静电卡盘，包括卡盘底座和设置于卡盘底座上的卡盘；边缘环，包括环绕设置于静电卡盘周围的边缘环侧壁和设置于卡盘底座的凸出部位上的边缘环底座，边缘环侧壁设置于和边缘环底座上，边缘环底座上设置有开口导通边缘环底座。本申请通过在等离子体设备的边缘环底座上设置有开口导通边缘环，从而通过该等离子体设备对晶圆进行沉积工艺或刻蚀工艺时，由于存在开口导通边缘环，因此能够在晶圆的边缘形成一个气流流通的区域，将边缘的反映颗粒物排出，在一定程度上解决了晶圆的边缘反应物颗粒堆积的问题，提高了良率。

公开(公告)号：CN115775733A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211320509.5

申请日：2022-10-26

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 ,  华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 潘嘉 ,  吴长明 ,  杨继业 ,  陈思彤

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。具体的，在本发明提出了一种半导体结构的制备方法中，其通过先形成SGT器件结构的多晶硅栅，然后在形成该结构的屏蔽栅，从而提出一种更有利于半导体制程中应力改善的SGT制备方法。

公开(公告)号：CN111009472B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201911375756.3

申请日：2019-12-27

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 冯大贵 ,  吴长明 ,  欧少敏

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

摘要： 本申请公开了一种MOSFET器件的制造方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底上形成有硅氧化物层；通过光刻工艺在硅氧化物层上的预定区域覆盖光阻；通过ICP刻蚀设备对除预定区域以外的其它区域的硅氧化物层进行刻蚀，直至硅衬底暴露，通过调节ICP刻蚀设备的刻蚀参数使刻蚀过程中对硅氧化物的刻蚀速率大于对硅的刻蚀速率；通过ICP刻蚀设备对其它区域的硅衬底进行刻蚀，形成沟槽，通过调节刻蚀过程中的参数控制每个沟槽之间均一性。本申请通过ICP刻蚀设备对MOSFET器件的硅氧化物层和硅衬底进行刻蚀，降低了MOSFET器件的制造工艺的复杂度。

公开(公告)号：CN115685685A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211259797.8

申请日：2022-10-14

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 杨伟 ,  王宇凡 ,  方正 ,  陈媛儒 ,  王绪根 ,  金乐群 ,  姚振海 ,  吴长明

IPC分类号： G03F7/16

摘要： 本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括将待涂胶的晶圆进行预处理；采用动态涂胶方法在晶圆表面喷涂光刻胶以形成沿圆周方向由外到里的蚊香式光刻胶，并在晶圆的中心喷涂光刻胶；涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜；对晶圆进行清洗和去边；将晶圆快速甩干。本发明解决了现有涂胶方式光刻胶易堆积在晶圆中心、光刻胶膜厚均匀性差的问题，改善了光刻胶膜厚均匀性。

公开(公告)号：CN111725065B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202010716679.X

申请日：2020-07-23

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 丁佳 ,  吴长明 ,  冯大贵 ,  欧少敏 ,  杜闫

IPC分类号： H01L21/3213

摘要： 本申请半导体制造技术领域，具体涉及一种用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法。所述用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，包括：将淀积有多晶硅层的器件置入刻蚀系统的反应腔中；提供六氟化硫气体和四氯化硅气体的混合作为刻蚀气体，所述刻蚀气体中的六氟化硫气体和四氯化硅气体的流量比为2.5：1至4：1；使得所述刻蚀气体在刻蚀系统的工作环境下，对淀积有多晶硅层的器件进行刻蚀，形成生成物；抽走所述生成物。所述用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法，可以解决多晶硅表面不平整，晶圆表面缺陷较多的问题。

公开(公告)号：CN115407623A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210966068.X

申请日：2022-08-12

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 张硕 ,  吴长明 ,  冯大贵 ,  余鹏 ,  孙建 ,  李先宏 ,  尚柯

IPC分类号： G03F7/42 ,  B08B7/00

摘要： 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻胶去除腔的清洗方法。光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。本申请可以解决相关技术中随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积的问题。

公开(公告)号：CN115327854A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210586026.3

申请日：2022-05-26

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 方正 ,  吴长明 ,  冯大贵 ,  姚振海 ,  金乐群 ,  王绪根 ,  杨伟 ,  王宇凡

IPC分类号： G03F7/16

摘要： 本发明提供一种改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法，提供晶圆和光刻胶旋涂机，利用光刻胶旋涂机在晶圆表面形成光刻胶层；利用光刻胶旋涂机以第一转速旋涂光刻胶层，用以减薄光刻胶层；降低光刻胶旋涂机的转速至第二转速，之后旋涂光刻胶层至设定的厚度。本发明的方法消除了晶圆旋涂光刻胶时产生的风旋，提升了光刻胶膜厚均匀性；减少机台因为光刻胶膜厚异常而导致的宕机，提高了产量。