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发明授权
CN1117399C 半导体量子振荡器件和在器件内产生Bloch振荡的方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 半导体量子振荡器件和在器件内产生Bloch振荡的方法
  • 专利标题（英）： Semiconductor quantum oscillator device and method for producing Bloch oscillation in device
  • 申请号： CN98804016.6
    申请日： 1998-03-23
  • 公开(公告)号： CN1117399C
    公开(公告)日： 2003-08-06
  • 发明人: 李炳辉
  • 申请人： 李炳辉
  • 申请人地址： 北京市北京大学畅春园51楼222室
  • 专利权人： 李炳辉
  • 当前专利权人： 李炳辉
  • 当前专利权人地址： 北京市北京大学畅春园51楼222室
  • 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
  • 代理商 王以平
  • 国际申请： PCT/CN1998/00049 1998.03.23
  • 国际公布： WO1998/45882 ZH 1998.10.15
  • 进入国家日期： 1999-10-09
  • 主分类号： H01L29/15
  • IPC分类号： H01L29/15 ;  H01L33/00 ;  H01L29/24 ;  H01L29/88 ;  H01S5/32
半导体量子振荡器件和在器件内产生Bloch振荡的方法
摘要：
一种基于载流子全新注入机理实现Bloch振荡的半导体量子振荡器件，包括一个由多层半导体材料构成的结构和给上述结构加电压的装置，所述多层结构包括隧穿注入区和与其相接并位于其两侧的两个载流子振荡区，施加电压的装置将电压加在两个振荡区上，引起隧穿区的价带电子带间隧穿进入导带，在两振荡区内分别引入作量子振荡运动的电子和空穴，产生远红外辐射。为充分利用毫米波高端和远红外低端之间的电磁波资源提供条件。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02 .按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12 ..按其构成材料的特征区分的
H01L29/15 ... · ·带有周期性或准周期性电势变化的结构，如多量子阱、超晶格（应用于光控制的这种结构入G02F1/017；应用于半导体激光器的入H01S5/34）
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