公开(公告)号：CN111404026B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202010312648.8

申请日：2020-04-20

Applicant: 全磊光电股份有限公司

Inventor： 单智发 ,  张永 ,  陈阳华 ,  方天足

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C28/04

Abstract: 一种高性能DFB激光器结构，包括InP基底，在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N‑InP缓冲层、N‑AlInAs外延层、N‑AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P‑AlGaInAs波导层、P‑AlInAs限制层、P‑InP限制层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层；在所述N‑InP缓冲层与所述N‑AlInAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP；本方案设计的一种高性能DFB激光器结构，在N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP，可以获得高制量的MQW，提高激光器的可靠性，同时还能平滑N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层之间的导带能阶差，减小DFB激光器的电阻，提高DFB激光器的性能。

公开(公告)号：CN118507614B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410969444.X

申请日：2024-07-19

Applicant: 苏州镓锐芯光科技有限公司

Inventor： 李增成 ,  刘治 ,  吴思

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20

Abstract: 本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；电子阻挡层，位于所述第二波导层和所述第二限制层之间；电子减速层，位于所述电子阻挡层和所述第二波导层之间；其中，所述电子减速层为超晶格结构，所述电子减速层包括多个层叠的单元层，所述单元层包括交替层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙小于所述第二子层的带隙；其中，所述第一子层的带隙大于所述第二波导层的带隙，所述第二子层的带隙小于所述电子阻挡层的带隙。所述半导体发光结构的出光效率提高。

公开(公告)号：CN118743034A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380021706.3

申请日：2023-02-15

Applicant: 艾普诺瓦泰克公司

Inventor： 马丁·安德烈亚斯·奥尔松

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/42 ,  H01L33/14 ,  H01S5/34 ,  H01S5/02

Abstract: 一种用于发光的装置(1)，该装置(1)包括：衬底(2)；布置在衬底(2)上的基底层(4)；布置在基底层(4)上的二极管层结构(10)，该二极管层结构(10)包括夹在n掺杂半导体层(12)与p掺杂半导体层之间的量子阱层结构(30)；量子阱层结构(30)，其包括第一量子阱(41)和第二量子阱(42)、第一近端势垒层(51)和第二近端势垒层(52)以及第一远端势垒层(61)和第二远端势垒层(62)，其中，第一量子阱(41)和第二量子阱(42)以及第一近端势垒层(51)和第二近端势垒层(52)夹在第一远端势垒层(61)与第二远端势垒层(62)之间。

公开(公告)号：CN114552387B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202210175016.0

申请日：2022-02-25

Applicant: 安徽格恩半导体有限公司

Inventor： 吴烈飞

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/028 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明提供一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法，n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层依次层叠设置在N电极上，P型电子阻挡层的上表面凸出设置有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层；第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面，位于脊条的两侧，第二钝化层置于第一钝化层上表面；第二钝化层上开设有凹槽，凹槽包括相通的竖槽和横槽，横槽内设置有第一金属层，在第二钝化层的上表面及脊条上设有P电极，P电极具有与竖槽相对应的凸起部，竖槽的横截面积小于横槽的横截面积。其降低了电极结构的应力，提高了金属电极与钝化层的附着力，改善散热性能。

公开(公告)号：CN118339729A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280077191.4

申请日：2022-10-12

Applicant: 通快光电器件有限公司

Inventor： A·奥特 ,  S·巴德尔

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/042 ,  H01S5/32 ,  H01S5/42

Abstract: 本发明涉及一种用于发射光(12)的半导体构件(10)，所述半导体构件具有基体(14)和电触点(20)，所述基体包括至少一个台面体(16)，所述台面体具有用于所述光(12)的发射区域(18)，所述台面体配属有第一反射镜区段、第二反射镜区段和有源区段，所述有源区段布置在两个反射镜区段之间并用于产生所述光(12)，所述电触点用于将电能馈送到所述有源区段中，其中，至少一个应力元件(24)安装在所述基体(14)的表面(22)上，所述应力元件延伸直至所述发射区域(18)，所述应力元件是电触点(20)的一部分并且在所述基体(14)中产生材料应力(25)，其中，偏振栅格(30)布置在所述台面体(16)的表面(22)上并且与所述发射区域(18)共同作用，其中，所述偏振栅格(30)的栅格定向与主要的材料应力(25)的方向和/或所述应力元件(24)的纵向延伸围成尤其0°、45°和/或90°，使得通过所述材料应力和所述栅格定向影响所发射的光(12)的特性、例如偏振消光比。

公开(公告)号：CN113937023B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202111012065.4

申请日：2021-08-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘大猛 ,  王江彩 ,  雒建斌

IPC: H01L21/66 ,  H01L31/0264 ,  H01L33/00 ,  H01S5/32 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种测试二维材料异质结中缺陷影响能量转移的方法，涉及半导体技术领域，包括：由下至上依次放置单层的下层过渡金属硫化物、隔离层及单层的上层过渡金属硫化物以制备异质结；对异质结进行若干次等离子体处理，以向异质结引入缺陷，且第一次处理时间等于0秒；每次对异质结进行等离子体处理后，均对异质结进行检测。通过设置隔离层能够使下层过渡金属硫化物与上层过渡金属硫化物之间产生间距，避免二者之间产生电荷转移影响测试结果的准确性。通过检测不同时间等离子处理后的异质结的能量转移情况，即可得出缺陷对于异质结能量转移的影响。

公开(公告)号：CN117477352A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311434131.6

申请日：2023-10-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  刘宗顺

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明提供一种量子阱发光结构，包括：量子阱层；量子垒层，包括上垒层和下垒层，上垒层设置在量子阱层的表面，下垒层设置在量子阱层远离上垒层一端表面，量子垒层用以抑制载流子从量子阱层的溢出。本发明通过设置复合的量子垒层，既能保护量子阱层，防止量子阱层被破坏，又能抑制高温下载流子的逸散，进而能够有效提高半导体激光器的工作性能。

公开(公告)号：CN117410830A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202210805629.8

申请日：2022-07-08

Applicant: 山东华光光电子股份有限公司

Inventor： 刘飞 ,  张新 ,  王朝旺

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20

Abstract: 本发明涉及一种具有高脉冲响应速度的780nm半导体激光器及其制备方法，包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Gax1In1‑x1P下过渡层、(Al1‑x2Gax2)y1In1‑y1P下限制层、(Al1‑x3Gax3)y2In1‑y2P下渐变层、Gax4In1‑x4P下波导层、Gax5In1‑x5Asy3P1‑y3量子阱、Gax6In1‑x6P上波导层、(Al1‑x7Gax7)y4In1‑y4P上渐变层、(Al1‑x8Gax8)y5In1‑y5P上限制层、Ga0.48In0.52P上过渡层、GaAs帽层。采用无铝有源区以及压应变量子阱、非对称结构及渐变层的设计，提高激光器脉冲响应速度。

公开(公告)号：CN117317807A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311384026.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 解佳男 ,  林涛 ,  谢朝阳 ,  史家豪 ,  梁多 ,  曹新锐

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，具体公开了一种具有电压调控层的短波长红光半导体激光器，包括N型重掺杂电压调控层，还包括从下到上依次设置的衬底、N型组分渐变缓冲层、N型晶格缓冲层、N型Ga I nP掺杂渐变层、N型A l I nP限制层、A l Ga I nP下波导层、Ga I nP量子阱、A l Ga I nP上波导层、P型A l I nP限制层、P型Ga I nP势垒层、P型GaAs欧姆接触层。本发明在N型Ga I nP掺杂渐变层与N型A l I nP限制层或N型Ga I nP掺杂渐变层与N型晶格缓冲层之间引入N型重掺杂电压调控层。在一定重掺杂浓度范围内，N型重掺杂电压调控层可以降低该区域异质结能带间势垒高度，改变载流子分布，一定程度上降低了激光器的开启电压从而提高器件的转换效率。

公开(公告)号：CN117175343A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311410943.7

申请日：2023-10-28

Applicant: 芯辰半导体(苏州)有限公司

Inventor： 孔亮 ,  陈恩生

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34 ,  H01S5/12 ,  H01S5/02345

Abstract: 本申请提供了一种激光器件及制作方法，包括：第一衬底；设于第一衬底之上的绝缘层；分别设于绝缘层的上表面两端的键合金属；倒扣键合在一端键合金属之上的第一型电极和倒扣键合在另一端键合金属之上的第二型电极；设于两端的键合金属之间的波导层；设于第一型电极之上的第一型掺杂层和设于第二型电极之上的第二型掺杂层；设于第一型掺杂层和第二型掺杂层之间的多量子阱有源区；设于第一型掺杂层、第二型掺杂层及多量子阱有源区之上的第二衬底，既提升了电流注入效率增大了激光器的发光功率，还提高了激光器的出光效率，也提高了电流注入的密度，且将出射的激光输出至硅光芯片以便进行集成。