Invention Grant
- Patent Title: 一种无边缘凸起的金属盖石墨岛及其制备方法
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Application No.: CN201910234457.1Application Date: 2019-03-26
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Publication No.: CN111747372BPublication Date: 2024-06-14
- Inventor: 杨德智 , 张清卿
- Applicant: 深圳清力技术有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区兰景中路16号国富文化创意产业厂区厂房A601
- Assignee: 深圳清力技术有限公司
- Current Assignee: 深圳清力技术有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区兰景中路16号国富文化创意产业厂区厂房A601
- Agency: 广东普润知识产权代理有限公司
- Agent 寇闯
- Main IPC: B81B5/00
- IPC: B81B5/00 ; B81C1/00
Abstract:
本发明提供一种金属盖石墨岛及其制备方法，所述金属盖石墨岛包括岛状结构的石墨和覆盖于其上的金属盖层，所述金属盖层表面平整，且无边缘凸起，所述金属盖石墨岛可自回复，且具有微米尺度的大尺寸超滑面，有利于将超滑技术应用于微米尺度电学器件中。所述制备方法采用两层胶制备工艺，所获得的金属盖石墨岛表面平整，无边缘凸起，显著地提升了微米尺度金属盖石墨岛的自回复率，提高了获得超滑面的成功率，有效地降低了成本。
Public/Granted literature
- CN111747372A 一种无边缘凸起的金属盖石墨岛及其制备方法 Public/Granted day:2020-10-09
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