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公开(公告)号：CN117902546A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311760358.X
申请日：2023-12-19
申请人： 深圳清力技术有限公司 , 清华大学
摘要： 综上所述，本申请提供了一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构。该控制方法包括提供超滑结构，再对超滑结构施加一扭矩，其中，超滑结构包括超滑滑块和超滑基底。通过直接对超滑滑块施加扭矩的方式，使超滑滑块能够在扭矩的驱动下相对于超滑基底进行转动，不仅实现了滑移面自公度接触状态到非公度接触状态的快速切换，还能够使滑移面以大失配角度远离公度接触状态，提高了滑移面在非公度接触状态下的稳定性。
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公开(公告)号：CN111755338A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910234423.2
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳清力技术有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/49 , H01L23/498 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种能够形成集成器件表面原子级光滑电连接薄片的制备方法，利用一层可去除的具有原子级光滑表面的材料，在其表面进行器件集成，通过反向刻蚀加工的方法，最后将该材料通过刻蚀方法去除，从而得到一个集成了金属互联的原子级光滑表面的电连接薄片结构，可通过集成不同的器件从而实现不同的功能。
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公开(公告)号：CN111747372B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910234457.1
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳清力技术有限公司
摘要： 本发明提供一种金属盖石墨岛及其制备方法，所述金属盖石墨岛包括岛状结构的石墨和覆盖于其上的金属盖层，所述金属盖层表面平整，且无边缘凸起，所述金属盖石墨岛可自回复，且具有微米尺度的大尺寸超滑面，有利于将超滑技术应用于微米尺度电学器件中。所述制备方法采用两层胶制备工艺，所获得的金属盖石墨岛表面平整，无边缘凸起，显著地提升了微米尺度金属盖石墨岛的自回复率，提高了获得超滑面的成功率，有效地降低了成本。
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公开(公告)号：CN117902547A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311763948.8
申请日：2023-12-19
申请人： 深圳清力技术有限公司 , 清华大学
摘要： 本申请提供了一种超滑结构及其制备方法，该超滑结构制备方法包括提供超滑岛和第一基底，然后，再将超滑岛内的滑块沿超滑界面转移至第一基底的上表面，最后，再对第一基底上的滑块的电阻值进行测量，筛选出电阻值满足目标阈值的滑块，获得超滑结构。通过对滑块的电阻值进行测量，并根据测量结果，对电阻值小于目标阈值的滑块进行筛选，以获取不含部分超滑面的滑块。利用不含有部分超滑面的滑块具有更加优异的结构稳定性的特点，将其与第一基底进行结合，获得具有鲁棒性的超滑结构，提高超滑结构的超滑特性。
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公开(公告)号：CN117686537A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311704788.X
申请日：2023-12-12
申请人： 深圳清力技术有限公司
IPC分类号： G01N23/2202 , G01N23/2255
摘要： 本申请提出一种聚焦离子束显微镜观察光刻胶结构的样品及方法和应用，其中聚焦离子束显微镜观察光刻胶结构的样品，包括：硅片和保护层，所述硅片具有第一表面，所述第一表面上设有至少一个经曝光的光刻胶掩模图形；所述保护层设在所述经曝光的光刻胶掩模图形未与所述第一表面接触的至少部分表面，所述保护层的材质为油墨。本申请的聚焦离子束显微镜观察光刻胶结构的样品，在硅片上经曝光的光刻胶掩模图形外围设置保护层，对经曝光的光刻胶掩模图形有一定的缓冲作用，从而可在无其他额外设备辅助的情形下进行双束聚焦离子束切割时对经曝光的光刻胶掩模图形微纳米结构起到保护作用，避免经曝光的光刻胶掩模图形结构受损。
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公开(公告)号：CN111755338B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910234423.2
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳清力技术有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/49 , H01L23/498 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种能够形成集成器件表面原子级光滑电连接薄片的制备方法，利用一层可去除的具有原子级光滑表面的材料，在其表面进行器件集成，通过反向刻蚀加工的方法，最后将该材料通过刻蚀方法去除，从而得到一个集成了金属互联的原子级光滑表面的电连接薄片结构，可通过集成不同的器件从而实现不同的功能。
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公开(公告)号：CN109148157B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201710455461.1
申请日：2017-06-16
申请人： 深圳清力技术有限公司
IPC分类号： H01G5/40
摘要： 本发明提供了一种复合电容结构，依次包括第一导电层，第一绝缘层，第二导电层，第二绝缘层，第三导电层，第三绝缘层以及第四导电层，其中第一电容结构包含第一导电层，第一绝缘层和第二导电层，第二电容结构包含第二导电层，第二绝缘层和第三导电层，第三电容结构包含第三导电层，第三绝缘层以及第四导电层，其中第二电容结构中的第二导电层，第二绝缘层和/或第三导电层可以相对移动从而改变第二电容结构的电容。通过导电层充电后的相对移动，来驱动电荷的移动，进行发电，实现将外部的能量捕获并转化为电能，实现高电流输出。
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公开(公告)号：CN109935245B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910233596.2
申请日：2019-03-26
申请人： 深圳清力技术有限公司
摘要： 本发明提出了一种多磁头硬盘的解决方案，改变现有Winchester硬盘结构，大幅提升其读写速度。具体为在磁盘盘片的径向和环向布置多个接触式读写磁头，该硬盘的读写方法为：磁头架和磁头臂与驱动元件连接固定，保持不动，磁盘盘片转动，对每个磁头采取压电驱动方式进行驱动。对于硬盘顺序读写，读写速度与总体磁头数目大致成正比。对于硬盘随机读写，径向布置的磁头可降低寻道时间，环向布置的磁头可降低旋转延迟，因而可提升硬盘的随机读写速度，进而提高内部数据的传输速度。
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公开(公告)号：CN108845161B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810233689.0
申请日：2018-03-21
申请人： 深圳清力技术有限公司
IPC分类号： G01Q60/24
摘要： 本发明公开了一种原子力显微镜探针、原子力显微镜及探针的制备方法。原子力显微镜探针包括探针本体和设置在探针本体的针尖一侧的接触体，接触体具有连接段和接触段，接触段具有接触端面；接触段为二维材料，且接触端面为原子级光滑且平整的单晶界面。本发明的原子力显微镜探针可精确地检测受测样品的各种性质。
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公开(公告)号：CN109148157A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710455461.1
申请日：2017-06-16
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01G5/40
CPC分类号： H01G5/40
摘要： 本发明提供了一种复合电容结构，依次包括第一导电层，第一绝缘层，第二导电层，第二绝缘层，第三导电层，第三绝缘层以及第四导电层，其中第一电容结构包含第一导电层，第一绝缘层和第二导电层，第二电容结构包含第二导电层，第二绝缘层和第三导电层，第三电容结构包含第三导电层，第三绝缘层以及第四导电层，其中第二电容结构中的第二导电层，第二绝缘层和/或第三导电层可以相对移动从而改变第二电容结构的电容。通过导电层充电后的相对移动，来驱动电荷的移动，进行发电，实现将外部的能量捕获并转化为电能，实现高电流输出。
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