一种多位存储闪存单元

发明公开

摘要：

本发明公开一种多位存储闪存单元，将石墨烯，六方氮化硼，二硫化钼自下由上堆叠在二氧化硅/低阻硅基底上形成异质结，即多位存储闪存单元。本发明的存储单元通过施加不同强度电场，实现了多态电导值，实现了多位存储；该存储单元编程/擦写速度为ms量级；该存储单元为非易失性存储器。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L45/00	无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L39/00；压电器件入H01L41/00；体负阻效应器件入H01L47/00）