- 专利标题: 一种高比表面积莫来石晶须-凹凸棒多孔陶瓷及其制备方法
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申请号: CN202010716998.0申请日: 2020-07-23
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公开(公告)号: CN111807817B公开(公告)日: 2022-07-05
- 发明人: 郝巍 , 赵晓峰 , 倪娜 , 姜娟 , 蔡黄越 , 孙序成 , 余亚丽 , 姚尧
- 申请人: 明光市铭垚凹凸棒产业科技有限公司 , 上海交通大学
- 申请人地址: 安徽省滁州市淮河大道科技孵化器大楼东边产业互联网园二楼;
- 专利权人: 明光市铭垚凹凸棒产业科技有限公司,上海交通大学
- 当前专利权人: 明光市铭垚凹凸棒产业科技有限公司,上海交通大学
- 当前专利权人地址: 安徽省滁州市淮河大道科技孵化器大楼东边产业互联网园二楼;
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 顾艳哲
- 主分类号: C04B33/36
- IPC分类号: C04B33/36 ; C04B33/13 ; C04B33/24 ; C04B38/02
摘要:
本发明涉及一种高比表面积莫来石晶须‑凹凸棒多孔陶瓷及其制备方法,制备方法包括首先将凹凸棒、碳化硅及硫酸铝混合并球磨,得到陶瓷混合粉料;再将陶瓷混合粉料与Li2MoO4、Na2MoO4混合并球磨,得到陶瓷粉料与熔盐的混合粉料;之后将混合粉料通过冷等静压预压成型,得到陶瓷坯体;最后将陶瓷坯体进行低温煅烧及后处理过程后,即得到莫来石晶须‑凹凸棒多孔陶瓷。与现有技术相比,本发明采用熔盐法辅助原位反应烧结法制备纳米棒状晶体自组装结构、多级孔均匀分布且比表面积较大的莫来石晶须‑凹凸棒多孔陶瓷,具有制备温度低、工艺简单可控、反应烧结效率高、对设备要求低等优点。
公开/授权文献
- CN111807817A 一种高比表面积莫来石晶须-凹凸棒多孔陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2020-10-23