本发明公开了通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法，集成元件包括基板，基板上依次设置有光电二极管有源层、光放大器有源层和模斑转换器结构层，模斑转换器结构层位于靠近集成元件的收光端面一侧，模斑转换器结构层的底面低于光放大器有源层的底面，光电二极管有源层和光放大器有源层上覆盖有第一包层，第一包层和模斑转换器结构层上覆盖有第二包层，第二包层上自下至上依次覆盖有接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层。本发明将斑驳转换器作为半导体光波导结构，提升耦光效率；采取边耦合的形式，将入射光引入集成探测器元件，简化了工艺流程，可实现50G PON以上系统接收端光探测器的国产化批量生产。