本发明涉及VCSEL芯片氧化制备技术领域，提供了一种VCSEL芯片的低温氧化方法，氧化方法包括以下步骤：将VCSEL芯片的外延片刻蚀成台阶，使VCSEL芯片的富铝AlGaAs层裸露出来；将VCSEL芯片放置于等离子体腔的载片台上，并对等离子体腔抽真空；将氩气通过第一气体管道连通容器，容器通过第二气体管道连通等离子体腔；将等离子体腔通电，使内部产生电场，并将去离子水汽离化成活性氧化粒子，活性氧化粒子与富铝AlGaAs层反应，生成Al2O3层和挥发性副产物；等离子体腔通过第三气体管道连通真空泵，真空泵将挥发性副产物排出至腔体外侧。本发明解决了传统的高温湿法氧化工艺，温度的均匀性难以控制，容易导致VCSEL芯片氧化不均匀，生产良率低，成本高，能耗大的问题。