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公开(公告)号：CN111834891A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010977208.4
申请日：2020-09-17
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明涉及VCSEL芯片氧化制备技术领域，提供了一种VCSEL芯片的低温氧化方法，氧化方法包括以下步骤：将VCSEL芯片的外延片刻蚀成台阶，使VCSEL芯片的富铝AlGaAs层裸露出来；将VCSEL芯片放置于等离子体腔的载片台上，并对等离子体腔抽真空；将氩气通过第一气体管道连通容器，容器通过第二气体管道连通等离子体腔；将等离子体腔通电，使内部产生电场，并将去离子水汽离化成活性氧化粒子，活性氧化粒子与富铝AlGaAs层反应，生成Al2O3层和挥发性副产物；等离子体腔通过第三气体管道连通真空泵，真空泵将挥发性副产物排出至腔体外侧。本发明解决了传统的高温湿法氧化工艺，温度的均匀性难以控制，容易导致VCSEL芯片氧化不均匀，生产良率低，成本高，能耗大的问题。
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公开(公告)号：CN111948743A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202011012181.1
申请日：2020-09-24
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种微透镜的制备方法，包括以下步骤：准备基板和具有透光孔的光刻版、且两者具有一定间距；在基板的蚀刻侧匀上光刻胶；光刻版向基板移动并输出变化的曝光量，位于光刻版遮光区的光刻胶处于光衍射的辐射中，随着光刻版与光刻胶间距的缩小，光衍射的辐射区域逐步缩小，使光刻胶本被遮光的区域形成边沿具有曲度的曝光区域，由此曝光显影后在基板上成型了进行刻蚀的光刻胶形貌；对基板进行等离子体刻蚀，将光刻胶形貌复制到基板上以成型微透镜。利用光衍射原理对光刻胶进行形貌修饰、并得到光刻胶形貌，加工工序简单可控，微透镜的成型一致性高，有效提高了工作效率，且成本低，适用于微小尺寸微透镜的成型。
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公开(公告)号：CN111596419A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010380178.9
申请日：2020-05-08
申请人： 山东元旭光电股份有限公司 , 合肥元旭创芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明属于激光整形技术领域，提供了一种光纤芯片及其制作方法，光纤芯片包括{100}晶族基板，{100}晶族基板上开设有V形槽，V形槽内设有至少一根光纤条；{100}晶族基板为(100)硅片，V形槽沿硅片 晶向开设，V形槽的槽面为硅片{111}晶面，光纤条包括玻璃纤芯和包覆于玻璃纤芯外的光学反射层，光纤条利用胶水固定安装于V形槽内。本发明的光纤芯片，通过V形安装槽安装有的光纤条，由于光纤条的全反射以及极低的光衰，使得光传播不易被吸收，光束能量集中，且光在光纤条传导的过程中不需考虑V形槽对光的吸收等损耗，该光纤芯片成本低廉，便于在半导体激光器中封装使用，有利于激光器件的制备，具有对激光器件光束进行整形的功能。
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公开(公告)号：CN112420903B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202110088527.4
申请日：2021-01-22
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
摘要： 本申请是关于一种发光器件的封装结构。该封装结构包括：导热基板、第一电路、发光芯片以及光反射模组；其中，第一电路固定设置在导热基板上，发光芯片固定设置在第一电路上，且发光芯片与第一电路电连接；光反射模组全部固定设置在第一电路上，光反射模组用于将发光芯片发出的光信号沿第一方向反射出去，尤其是使发光芯片侧面发出的光信号沿第一方向聚集，其中，第一方向为该发光器件的出光方向。本申请提供的方案，能够同时实现良好的光反射性和散热性。
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公开(公告)号：CN111934193B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011093259.7
申请日：2020-10-14
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
IPC分类号： H01S5/0225 , H01S5/02251 , H01S5/02255 , H01S5/02257 , H01S5/02315 , H01S5/0237 , H01S5/02326 , H01S5/024
摘要： 本发明属于半导体技术领域，提供了一种LD芯片无机封装结构及其制备方法，LD芯片无机封装结构包括陶瓷衬底，陶瓷衬底的两面均镀有第一金属层，陶瓷衬底两面电极区域的第一金属层相连，其中一面散热区域的第一金属层上安装有LD芯片，LD芯片的正负极分别与同一面电极区域的第一金属层相连；LD芯片的出光侧依次设有光纤和反射镜，且LD芯片的光源穿过光纤中心，反射镜靠近光纤的一侧为倾斜反射面；陶瓷衬底的其中一面还设有外框，外框的顶部适配盖合有荧光盖板，荧光盖板为光阑片结构。本发明实现了真正意义上的无机封装，LD芯片不会接触到水汽和有机成分，使用寿命大大延长，且该封装结构体积更小，散热效果大大提高，安装使用更加简单方便。
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公开(公告)号：CN111934193A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011093259.7
申请日：2020-10-14
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，提供了一种LD芯片无机封装结构及其制备方法，LD芯片无机封装结构包括陶瓷衬底，陶瓷衬底的两面均镀有第一金属层，陶瓷衬底两面电极区域的第一金属层相连，其中一面散热区域的第一金属层上安装有LD芯片，LD芯片的正负极分别与同一面电极区域的第一金属层相连；LD芯片的出光侧依次设有光纤和反射镜，且LD芯片的光源穿过光纤中心，反射镜靠近光纤的一侧为倾斜反射面；陶瓷衬底的其中一面还设有外框，外框的顶部适配盖合有荧光盖板，荧光盖板为光阑片结构。本发明实现了真正意义上的无机封装，LD芯片不会接触到水汽和有机成分，使用寿命大大延长，且该封装结构体积更小，散热效果大大提高，安装使用更加简单方便。
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公开(公告)号：CN111934187A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011012183.0
申请日：2020-09-24
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有光束整形的激光器表贴封装装置，包括绝缘基座，所述绝缘基座上设有激光器，位于所述激光器下游的所述绝缘基座上设有光斑整形器，位于所述光斑整形器下游的所述绝缘基座上设有反射镜；所述绝缘基座与所述激光器之间设有N极通电结构和P极通电结构。在使用中，分别通过N极通电结构和P极通电结构来实现激光器的通电，激光器产生的光线经光斑整形器整形后再通过反射镜将光线反射出去。采用该装置，实现了各个部件的SMD封装，与传统TO等封装方式相比，体积小，占用空间小，应用场景广泛；同时，能对光斑、光束进行各种所需形貌的整形。
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公开(公告)号：CN112701205A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110304549.X
申请日：2021-03-23
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及深紫外发光二极管封装技术领域，提供了一种深紫外芯片的全无机封装制备方法及深紫外芯片，制备方法包括蓝宝石衬底的外延制备、芯片制备、基板衬底的制备以及芯片与基板的共晶粘接，深紫外芯片包括芯片结构区及芯片密封区；芯片结构区包括蓝宝石、n‑AlGaN层、量子阱层、P‑AlGaN层、设置有P型欧姆接触及N型欧姆接触的绝缘层、高反射层、芯片共晶层、基板共晶层、第一面电路、基板及第二面电路；芯片密封区包括n‑AlGaN层、量子阱层、P‑AlGaN层、绝缘层、高反射层、芯片共晶层、基板共晶层、沉积层及基板。本发明解决了目前的深紫外芯片封装过程中，使用有机材料进行封装，易出现有机材料老化或降解，对芯片造成破坏，影响芯片稳定及使用寿命的问题。
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公开(公告)号：CN112420903A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202110088527.4
申请日：2021-01-22
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
摘要： 本申请是关于一种发光器件的封装结构。该封装结构包括：导热基板、第一电路、发光芯片以及光反射模组；其中，第一电路固定设置在导热基板上，发光芯片固定设置在第一电路上，且发光芯片与第一电路电连接；光反射模组全部固定设置在第一电路上，光反射模组用于将发光芯片发出的光信号沿第一方向反射出去，尤其是使发光芯片侧面发出的光信号沿第一方向聚集，其中，第一方向为该发光器件的出光方向。本申请提供的方案，能够同时实现良好的光反射性和散热性。
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公开(公告)号：CN111933634B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010978658.5
申请日：2020-09-17
申请人： 山东元旭光电股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L21/683 , H01L33/64 , H01L33/50
摘要： 本发明涉及Micro‑LED芯片技术领域，提供了一种Micro‑LED芯片的制备方法，制备方法包括：将蓝光外延片制作成Micro‑LED晶粒；将Micro‑LED晶粒的表面镀上一层第一DLC薄膜层；将Micro‑LED晶粒的表面沉积一层金属层；将Micro‑LED晶粒顶部出光区的表面沉积上一层滤光层；将Micro‑LED晶粒顶部出光区制作量子点层；将Micro‑LED晶粒的表面沉积上一层第二DLC薄膜层；将Micro‑LED晶圆贴合到基板上，并将Micro‑LED晶圆底部进行工艺处理至N型GaN层；将Micro‑LED晶圆上相邻的两Micro‑LED晶粒的N型GaN层进行Micro‑LED晶粒隔离；将Micro‑LED晶粒的N型GaN层的表面进行N电极沉积；将Micro‑LED晶圆与驱动电路晶圆键合；将Micro‑LED晶圆上贴合的基板去除。本发明解决了目前Micro‑LED芯片应用过程中的的散热和巨量转移问题，使其转移效率提高，成本降低，芯片可靠性提高。
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