发明授权
- 专利标题: 晶体静态电容抵消电路
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申请号: CN202010734479.7申请日: 2020-07-27
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公开(公告)号: CN111835286B公开(公告)日: 2024-02-02
- 发明人: 方修成 , 王占奎 , 刘兰坤 , 徐淑壹 , 要志宏 , 陈中平 , 逄杰 , 吴立国 , 杨璋娟 , 狄世杰 , 杨慧聪 , 赵玮娜
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 付晓娣
- 主分类号: H03B5/04
- IPC分类号: H03B5/04 ; H03B5/30
摘要:
本发明适用于晶体振荡器技术领域,提供了一种晶体静态电容抵消电路,包括:隔直模块和静态电容抵消模块,其中所述静态电容抵消模块包括隔直单元;所述隔直模块适于与晶体的第一端连接,还与所述抵消模块连接,用于与晶体振荡器的晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离;所述静态电容抵消模块,用于增大振荡电路的负阻,其中,所述隔直单元适于与所述晶体的第二端连接,用于与所述晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离。本发明通过对静态电容抵消模块中的电阻和电容进行调试,可以增大晶体振荡芯片电路的负阻,使晶体振荡器维持稳定可靠的振荡。
公开/授权文献
- CN111835286A 晶体静态电容抵消电路 公开/授权日:2020-10-27