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公开(公告)号：CN111147041B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201911329436.4
申请日：2019-12-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种石英晶体谐振器叠层装配结构、方法及谐振器，属于谐振器技术领域。本发明通过缓冲晶片和频率输出晶片的叠层设置，使得缓冲晶片能够缓冲谐振器基座和簧片传递到频率输出晶片上的应力，保证频率输出晶片的稳定，从而保证石英晶体谐振器频率的准确性；同时装配方式简单，能够便于操作，有利于降低成本、提高装配效率；相对于传统结构的石英晶体谐振器，尺寸外形、功耗、装配工艺、实用性、可靠性等特性均可以保持一致，而加速度灵敏度指标会明显优化为2.0E‑10/g至5.0E‑10/g。
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公开(公告)号：CN111130458B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201911301656.6
申请日：2019-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03B5/04
摘要： 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统，包括：加速度传感器、初始补偿模块、方向补偿模块和相位噪声检测模块；通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测，然后通过初始补偿模块对加速度电压信号进行初始补偿电压，再通过方向补偿模块根据频率补偿后的晶体振荡器的相位噪声以及初始补偿电压确定晶体振荡器最终的补偿电压，该补偿电压作用于晶体振荡器能够抵消晶体振荡器振动时产生的频率，从而减小晶体振荡器的频率变化，优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。
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公开(公告)号：CN112564668A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011540745.9
申请日：2020-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03H9/19
摘要： 本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。
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公开(公告)号：CN112543011A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011540793.8
申请日：2020-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03H9/205
摘要： 本发明提供了一种双晶片并联表贴石英晶体谐振器及制备方法，属于电子元器件技术领域，包括管壳，管壳内设有第一导电体和第二导电体，第一导电体的高度高于第二导电体的高度，第一导电体上固定有第一谐振晶片；第二导电体上固定有第二谐振晶片，第一谐振晶片和第二谐振晶片通过高度不同的第一导电体和第二导电体实现并联相连，第一谐振晶片与第二谐振晶片平行。本发明提供的双晶片并联表贴石英晶体谐振器，能够降低等效电阻，提高负载牵引力，适应管壳小型化的需求。
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公开(公告)号：CN111147041A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911329436.4
申请日：2019-12-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种石英晶体谐振器叠层装配结构、方法及谐振器，属于谐振器技术领域。本发明通过缓冲晶片和频率输出晶片的叠层设置，使得缓冲晶片能够缓冲谐振器基座和簧片传递到频率输出晶片上的应力，保证频率输出晶片的稳定，从而保证石英晶体谐振器频率的准确性；同时装配方式简单，能够便于操作，有利于降低成本、提高装配效率；相对于传统结构的石英晶体谐振器，尺寸外形、功耗、装配工艺、实用性、可靠性等特性均可以保持一致，而加速度灵敏度指标会明显优化为2.0E-10/g至5.0E-10/g。
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公开(公告)号：CN111130458A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911301656.6
申请日：2019-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03B5/04
摘要： 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统，包括：加速度传感器、初始补偿模块、方向补偿模块和相位噪声检测模块；通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测，然后通过初始补偿模块对加速度电压信号进行初始补偿电压，再通过方向补偿模块根据频率补偿后的晶体振荡器的相位噪声以及初始补偿电压确定晶体振荡器最终的补偿电压，该补偿电压作用于晶体振荡器能够抵消晶体振荡器振动时产生的频率，从而减小晶体振荡器的频率变化，优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。
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公开(公告)号：CN111835286B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010734479.7
申请日：2020-07-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种晶体静态电容抵消电路，包括：隔直模块和静态电容抵消模块，其中所述静态电容抵消模块包括隔直单元；所述隔直模块适于与晶体的第一端连接，还与所述抵消模块连接，用于与晶体振荡器的晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离；所述静态电容抵消模块，用于增大振荡电路的负阻，其中，所述隔直单元适于与所述晶体的第二端连接，用于与所述晶体振荡芯片内部的其他电路进行直流隔离。本发明通过对静态电容抵消模块中的电阻和电容进行调试，可以增大晶体振荡芯片电路的负阻，使晶体振荡器维持稳定可靠的振荡。
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公开(公告)号：CN111082751B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201911302544.2
申请日：2019-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03B5/04
摘要： 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种具有幅度相位补偿的晶体振荡器的频率补偿系统，包括：加速度传感器、加速度补偿电路和相位幅度补偿电路；通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测，然后通过加速度补偿电路对加速度电压信号进行加速度补偿，得到加速度补偿电压，最后通过相位幅度补偿电路对加速度补偿电压进行幅度和相位补偿，得到最终补偿电压，使最终补偿电压能够减小加速度传感器在监测晶体振荡器所受振动强度时的电压信号存在的幅度和相位偏差，从而减小晶体振荡器的频率变化，扩大晶体振荡器的频率补偿范围，进而优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。
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公开(公告)号：CN111786655B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202010734476.3
申请日：2020-07-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种晶体振荡器使能电路，包括：电位控制模块和电阻控制模块；电位控制模块适于与使能端连接和使能输出控制端连接，用于当使能端接低电位时，使得使能输出控制端为高电位，或，当使能端悬空时，使得使能输出控制端为低电位；电阻控制模块，适于与使能端和使能输出控制端连接，用于当使能端为低电位时，电阻控制模块对应的阻值为第一预设阻值，或当使能端悬空时，电阻控制模块对应的阻值为第二预设阻值，第一预设阻值大于第二预设阻值。本发明能够使晶体振荡器为待机工作状态时上拉阻值为大阻值，保障晶体振荡器的节能特性，还能使得晶体振荡器为工作状态时上拉阻值为小阻值，保障晶体振荡器的抗干扰特性。
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公开(公告)号：CN113573432A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110712637.3
申请日：2021-06-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H05B6/68
摘要： 本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片。该可编程频率源芯片包括微处理器和至少两个频率源通道，每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元；信号产生单元用于产生预设频率的第一功率信号，第一衰减单元用于对第一功率信号进行第一衰减处理得到第二功率信号，移相单元用于对接收到的信号进行移相处理，第二衰减单元用于对接收到的信号进行第二衰减处理；微处理器用于控制每个频率源通道的信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元以控制每个频率源通道输出信号的频率、相位和功率。本申请实施例能够对可编程频率源芯片的输出功率进行较为精确的控制。
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