发明授权
- 专利标题: 三维封装的半导体结构
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申请号: CN202010751200.6申请日: 2020-07-30
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公开(公告)号: CN111863783B公开(公告)日: 2021-04-09
- 发明人: 刘峻
- 申请人: 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人: 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人: 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 杜娟; 骆希聪
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L23/367 ; H01L23/46
摘要:
本发明涉及一种三维封装的半导体结构,包括:相互键合的第一半导体结构和第二半导体结构;所述第一半导体结构包括第一衬底,设置在所述第一衬底上的一个或多个逻辑器件,位于所述一个或多个逻辑器件上方的第一键合面,贯穿所述一个或多个逻辑器件的第一通孔结构,以及分布在所述第一衬底中的第一微通道;所述第二半导体结构包括第二衬底,设置在所述第二衬底上的一个或多个存储器件,位于所述一个或多个存储器件上方的第二键合面,贯穿所述一个或多个存储器件的第二通孔结构,以及分布在所述第二衬底中的第二微通道;以及所述第一半导体结构和所述第二半导体结构通过所述第一键合面和所述第二键合面相互键合。该半导体结构可以有效散热。
公开/授权文献
- CN111863783A 三维封装的半导体结构 公开/授权日:2020-10-30
IPC分类: