本发明提供一种无机‑有机杂化晶体材料及其合成方法和应用，所述晶体材料的化学式为[(CuxAg4‑xI4)DPTD]n，分子式为CuxAg4‑xI4C14H12N4S3，其中x取值为2～4；DPTD代表的是2,5‑二‑(2′‑甲基吡啶硫基)‑噻二唑；所述晶体材料化合物结晶于立方晶系Pbcn空间群，其是由[(CuxAg4‑xI4)DPTD]n形成的一维纳米链状晶体，链结构类似三层夹心结构，上下层为DPTD有机配体，中间层为(CuxAg4‑xI4)组成的无机金属链；这种三层夹心链结构在空间中沿着c轴方向延伸，并在a轴和b轴方向均以ABAB模式堆积。本发明晶体具有超高的空气稳定性和半导体性质，且是宽带隙半导体材料，可通过简单调控其中的金属无机组分实现带隙的调节。