发明授权
- 专利标题： 一种二维纳米半导体材料掺杂方法
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申请号： CN201910368584.0申请日： 2019-05-05
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公开(公告)号： CN111900091B公开(公告)日： 2024-01-23
- 发明人: 武恩秀 , 胡晓东 , 解媛 , 袁博
- 申请人： 天津大学
- 申请人地址： 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人： 天津大学
- 当前专利权人： 天津大学
- 当前专利权人地址： 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构： 天津创智睿诚知识产权代理有限公司
- 代理商 李薇
- 主分类号： H01L21/385
- IPC分类号： H01L21/385 ; H01L29/34
摘要：
本发明公开一种二维纳米半导体材料掺杂方法，利用紫外光照和局部电场联合作用，实现了对二维纳米材料的可控性掺杂，可以形成单极性的n型器件和p型器件,且掺杂后的p型和n型器件；掺杂可逆，掺杂速度超快，掺杂周期在100ms以内；掺杂是非易失的，掺杂后的器件可在空气环境下稳定工作，且没有任何迟滞现象。该光电掺杂工艺与传统的CMOS工艺兼容：即利用传统的紫外光刻工艺，就可以实现二维纳米材料的空间选择性p型和n型掺杂。
公开/授权文献
- CN111900091A 一种二维纳米半导体材料掺杂方法 公开/授权日：2020-11-06
IPC分类:
