本发明公开了一种SiC‑MOSFET的驱动电路，包括：隔离电路、电流放大模块、逻辑模块和保护电路；所述隔离电路的输入端与输入信号连接，用于对输入信号进行信号隔离；所述逻辑模块的输出端分别与电流放大模块和保护电路连接，用于对电流放大模块和保护电路的工作状态进行逻辑控制；电流放大模块的输入端与逻辑模块连接输出端连接，放大模块的输出端与SiC‑MOSFET连接，用于对通过逻辑电路输入的信号进行放大并转换为满足SiC‑MOSFET需求的驱动电流；所述保护电路与SiC‑MOSFET连接，用于通过防止SiC‑MOSFET的栅源极之间产生的高电压脉冲导致SiC‑MOSFET误动作和SiC‑MOSFET在关断时的漏极电压突增，以实现SiC‑MOSFET的稳定关断。