本发明涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括：处理腔室，具有容纳晶圆的晶舟，且所述晶舟沿所述处理腔室的轴向方向延伸；注入管，位于所述处理腔室内且沿所述处理腔室的轴向方向延伸，所述注入管的侧壁具有沿所述注入管的轴向方向间隔排布的多个喷孔，处理气体经所述喷孔传输至所述处理腔室；所述注入管中具有多个所述喷孔的区域沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影至少覆盖所述晶舟沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影，以提高所述晶舟内部气体分布的均匀性。本发明提高了处理气体在晶舟内部分布的均匀性，从而增加了所述晶舟能够同时处理的晶圆数量，提高了机台产能，并改善了晶圆处理效果。