- 专利标题： 一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法
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申请号： CN202010606899.7申请日： 2020-06-29
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公开(公告)号： CN111916528B公开(公告)日： 2022-06-24
- 发明人: 杨智 , 魏青竹 , 倪志春 , 钱洪强 , 连维飞 , 张树德 , 赵保星
- 申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号
- 专利权人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
- 当前专利权人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号
- 代理机构： 苏州华博知识产权代理有限公司
- 代理商 杨敏
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0288 ; H01L31/0216
摘要：
本发明提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在背面沉积AlOx层；且在所述正面和背面沉积SiNx层；然后对所述P型单晶硅片进行退火工艺。本发明通过在在SiNx镀膜后，增加退火步骤，调节晶体硅电池内氢浓度，降低由过量氢元素造成的的热辅助光致衰减，进而提高了晶体硅电池封装组件的输出功率。
公开/授权文献
- CN111916528A 一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法 公开/授权日：2020-11-10
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