发明授权
- 专利标题: 肖特基二极管封装结构及其制备方法
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申请号: CN202011005142.9申请日: 2020-09-23
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公开(公告)号: CN111933744B公开(公告)日: 2021-01-12
- 发明人: 赵自然 , 胡海帆 , 马旭明 , 肖雄
- 申请人: 同方威视技术股份有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 专利权人: 同方威视技术股份有限公司
- 当前专利权人: 同方威视技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 代理机构: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理商 桑敏
- 主分类号: H01L31/108
- IPC分类号: H01L31/108 ; H01L31/0203 ; H01L31/0216 ; H01L31/0224 ; H01L31/0352 ; H01L31/18
摘要:
本申请涉及肖特基二极管封装结构及其制备方法。一种肖特基二极管封装结构,包括:第一结构,该第一结构提供肖特基二极管封装结构的第一电极,并且包括:第一金属层,位于第一金属层上的重掺杂层,位于重掺杂层上的轻掺杂层,位于轻掺杂层上的第二金属层以及包围第二金属层的钝化层,以及位于重掺杂层上的第三金属层;以及第二结构,该第二结构提供肖特基二极管封装结构的第二电极,并且第二结构堆叠在第一结构上。
公开/授权文献
- CN111933744A 肖特基二极管封装结构及其制备方法 公开/授权日:2020-11-13