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公开(公告)号：CN111933744A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011005142.9
申请日：2020-09-23
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及肖特基二极管封装结构及其制备方法。一种肖特基二极管封装结构，包括：第一结构，该第一结构提供肖特基二极管封装结构的第一电极，并且包括：第一金属层，位于第一金属层上的重掺杂层，位于重掺杂层上的轻掺杂层，位于轻掺杂层上的第二金属层以及包围第二金属层的钝化层，以及位于重掺杂层上的第三金属层；以及第二结构，该第二结构提供肖特基二极管封装结构的第二电极，并且第二结构堆叠在第一结构上。
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公开(公告)号：CN111933743A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202011005059.1
申请日：2020-09-23
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本公开涉及肖特基二极管及其制造方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：台面结构，位于第二主体区上；以及钝化层，位于第二主体区上并且包围台面结构；以及接触金属层，位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接，其中，接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸。
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公开(公告)号：CN111933744B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011005142.9
申请日：2020-09-23
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及肖特基二极管封装结构及其制备方法。一种肖特基二极管封装结构，包括：第一结构，该第一结构提供肖特基二极管封装结构的第一电极，并且包括：第一金属层，位于第一金属层上的重掺杂层，位于重掺杂层上的轻掺杂层，位于轻掺杂层上的第二金属层以及包围第二金属层的钝化层，以及位于重掺杂层上的第三金属层；以及第二结构，该第二结构提供肖特基二极管封装结构的第二电极，并且第二结构堆叠在第一结构上。
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公开(公告)号：CN111863973B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011005049.8
申请日：2020-09-23
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
摘要： 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区，并且第二主体区包括位于衬底层上的重掺杂层以及位于重掺杂层上的轻掺杂层；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：接触金属层，位于轻掺杂层上并与悬臂梁的端部相接；以及钝化层，位于轻掺杂层上并且包围接触金属层，其中重掺杂层中对应于接触金属层的位置具有一个或多个区域，这一个或多个区域与轻掺杂层相接并且与轻掺杂层的对应区域在接触界面形成耗尽区。
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公开(公告)号：CN111864004B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011005172.X
申请日：2020-09-23
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：台面结构，位于第二主体区上；以及钝化层，位于第二主体区上并且包围台面结构，其中钝化层的厚度与台面结构的厚度相同；以及接触金属层，位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接，其中，接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸，并且其中钝化层内部嵌入有重掺杂多晶硅，该重掺杂多晶硅具有导电特性。
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公开(公告)号：CN111864004A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202011005172.X
申请日：2020-09-23
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：台面结构，位于第二主体区上；以及钝化层，位于第二主体区上并且包围台面结构，其中钝化层的厚度与台面结构的厚度相同；以及接触金属层，位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接，其中，接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸，并且其中钝化层内部嵌入有重掺杂多晶硅，该重掺杂多晶硅具有导电特性。
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公开(公告)号：CN111863973A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202011005049.8
申请日：2020-09-23
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
摘要： 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括：衬底层；位于衬底层上的第一结构和第二结构，其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构，第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁，第二结构包括第二主体区，并且第二主体区包括位于衬底层上的重掺杂层以及位于重掺杂层上的轻掺杂层；以及肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：接触金属层，位于轻掺杂层上并与悬臂梁的端部相接；以及钝化层，位于轻掺杂层上并且包围接触金属层，其中重掺杂层中对应于接触金属层的位置具有一个或多个区域，这一个或多个区域与轻掺杂层相接并且与轻掺杂层的对应区域在接触界面形成耗尽区。
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