本发明公开了一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法，该氮化硅导电陶瓷由以下质量百分比的原料制备而成，包括氮化硅陶瓷粉体65-90%、氧化镁2-6%、氧化钇1-5%、碳化钛0.5-3%、氮化钛5-10%、高纯碳1-10%、高纯氧化硼4-10%。该氮化硅导电陶瓷以氮化硅陶瓷粉体为基体原料，再与其它助剂进行复配，通过脱脂脱胶、烧结的步骤制备成具有良好导电性能的氮化硅陶瓷材料，该材料在保持了陶瓷固有的优良性能的基础上，便于对其采用放电方法进行加工，降低加工难度，提高加工效率。本发明所述制备方法简单，原料易得，赋予氮化硅陶瓷优良的导电性能，扩大了氮化硅陶瓷的使用范围，因此，本发明所述制备方法具有重要的意义。