公开(公告)号：CN112552055A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202110048262.5

申请日：2021-01-14

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  邹文革 ,  李平齐 ,  王美玲

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法，包括多层陶瓷、氮化硅陶瓷生坯膜和钨钼浆料，工艺包括高温烧结工艺、多层陶瓷生产工艺、丝网印刷工艺、叠压工艺、切片工艺和生产工艺，器件包括：排胶炉和气氛气压烧结炉，氮化硅陶瓷生坯膜生产工艺包括：氮化硅陶瓷粉、助烧剂氧化钇、粘结剂、流平剂和增塑剂，重量比为氧化钇占总重量的4%～7%、粘结剂占总重量的4%～8%、增塑剂和流平剂占总重量的5%～8%，其余为氮化硅陶瓷粉体，将上述材料混合成生胚膜放入氮气气氛中排胶，制得氮化硅陶瓷生坯膜；本发明一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法具有高温共烧出高热导的金属和氮化硅陶瓷、抗弯强度好的优点。

公开(公告)号：CN111943683A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010817985.2

申请日：2020-08-14

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  李正闯 ,  李平齐

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法，该氮化硅导电陶瓷由以下质量百分比的原料制备而成，包括氮化硅陶瓷粉体65-90%、氧化镁2-6%、氧化钇1-5%、碳化钛0.5-3%、氮化钛5-10%、高纯碳1-10%、高纯氧化硼4-10%。该氮化硅导电陶瓷以氮化硅陶瓷粉体为基体原料，再与其它助剂进行复配，通过脱脂脱胶、烧结的步骤制备成具有良好导电性能的氮化硅陶瓷材料，该材料在保持了陶瓷固有的优良性能的基础上，便于对其采用放电方法进行加工，降低加工难度，提高加工效率。本发明所述制备方法简单，原料易得，赋予氮化硅陶瓷优良的导电性能，扩大了氮化硅陶瓷的使用范围，因此，本发明所述制备方法具有重要的意义。

公开(公告)号：CN116007393A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211601212.6

申请日：2022-12-13

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  邹文革 ,  柯好 ,  李平齐 ,  王唯嘉

IPC分类号： F27D15/02 ,  F26B21/00 ,  B01F27/706 ,  B01D29/01 ,  C04B41/00

摘要： 本发明公开了一种氮化硅导电陶瓷生产后降温设备，包括没水箱：所述没水箱的内腔固定安装有第一链网输送机，所述没水箱的右侧设置有风冷组件，所述水冷组件包括水循环组件和翻涌组件，所述水循环组件包括固定安装在没水箱正表面和背表面左侧的循环泵，所述循环泵的进水端连通有进水管，所述进水管远离循环泵的一端贯穿至没水箱的内腔。本发明通过没水箱和第一链网输送机的配合使用，对氮化硅陶瓷进行没水冷却降温，通过水冷组件的设置，增强冷却液与氮化硅陶瓷接触充分性，同时可对冷却液进行循坏过滤，最终通过风冷组件的设置，对氮化硅陶瓷进行风冷降温，即可达到加工效率高、加工即时性强和降温速率快的目的。

公开(公告)号：CN113105247A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110319097.2

申请日：2021-03-25

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  邹文革 ,  邹婉如 ,  李平齐

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/587 ,  C04B35/622 ,  A61K6/802 ,  A61K6/822 ,  A61K6/887

摘要： 本发明公开了一种氮化硅陶瓷牙齿的制备方法，原材料分为氮化硅粉体、超纯水、高纯氧化锌、氧化钇、氧化铝、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、分散剂0～1％和消泡剂0～0.15％，（1）磨粉：先称取所需氮化硅陶瓷粉体适量，将氮化硅陶瓷粉体装入砂磨机中，向砂磨机中注入超纯水，（2）配方：a相93%以上的氮化硅陶瓷粉体，粒径D50—0.8um占总重量的80‑‑‑92%；高纯氧化锌、氧化钇或氧化铝为助溶剂，粒径均为D50—0.5um；本发明一种氮化硅陶瓷牙齿的制备方法具有牙根无金属成分，自我感觉舒适，缩短了患者术后的适应期、硬度和强度高，患者无需顾忌耐磨性、生物相容性好，优于各种金属或其它非金属材料的优点。

公开(公告)号：CN112608155A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011599178.4

申请日：2020-12-30

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  邹文革 ,  李平齐 ,  王美玲

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法，包括多层陶瓷、氮化硅陶瓷生坯膜和钨钼浆料，工艺包括高温烧结工艺、多层陶瓷生产工艺、丝网印刷工艺、叠压工艺、切片工艺和生产工艺，器件包括：排胶炉和气氛气压烧结炉，氮化硅陶瓷生坯膜生产工艺包括：氮化硅陶瓷粉、助烧剂氧化钇、粘结剂、流平剂和增塑剂，重量比为氧化钇占总重量的4%～7%、粘结剂占总重量的4%～8%、增塑剂和流平剂占总重量的5%～8%，其余为氮化硅陶瓷粉体，将上述材料混合成生胚膜放入氮气气氛中排胶，制得氮化硅陶瓷生坯膜；本发明一种金属和氮化硅陶瓷高温共烧复合基板的方法具有高温共烧出高热导的金属和氮化硅陶瓷、抗弯强度好的优点。